分数阶微分 (FOD) 可以记录过去、现在和未来的信息。与整数阶系统相比,FOD系统具有更高的复杂性和更准确的描述现实世界的能力。本文提出了两种类型的分数阶忆阻器,其中一种被证明具有极强的多稳态、局部活性和非易失性。通过使用忆阻器模拟神经元的自触并描述电磁辐射引起的电磁感应现象,我们建立了一种新的5D FOD忆阻HNN(FOMHNN)。通过动态仿真,丰富动态行为发现,例如超混沌、多卷轴、极端多稳定性和降序导致的“超频”行为。据我们所知,这是第一次在FOMHNN中同时发现如此丰富的动态行为。
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