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用于DDR、QDR和QDR-IV SRAM的超薄型三路输出µmodule稳压器

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.48 MB | 2017-05-08

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  引言

  QDR-IV 实现了 QDR (四倍数据速率) SRAM 的最高 RTR (随机事务处理速率),可为高带宽网络、高性能计算和密集型数据处理应用提供高达 400Gbps 的数据传输。在这些较快数据速率下的一项主要挑战是保持在 SRAM 与高速 FPGA 和处理器等器件之间传输数据的完整性。

  一种良好的解决方案是把 SRAM (例如:QDR-IV、 QDR 或 DDR) 布设得非常靠近 PCB 正面的接口器件。为节省 PCB 面积并最大限度地抑制数据总线线路上的感应 PCB 寄生噪声,应将给 QDR-IV SRAM 数据总线驱动器供电的 DC/DC 稳压器威廉希尔官方网站 安置在近旁。面临的难题是在高安装密度的 PCB 上找到安放该稳压器的空间。

  采用一个具片内电感器和 MOSFET 并内置于紧凑型封装中的完整 DC/DC 稳压器是一种解决方案。不过,即使是紧凑的解决方案,要面对 PCB 正面上稀缺的可用面积也会有难度。如果 DC/DC 稳压器解决方案的占板面积、高度和重量能够有足够的削减,则其就能安放在具有可用面积的 PCB 之背面。

  在一个纤巧的超薄型封装中从 12VIN 获得 VTT、 VDDQ、VREF

  LTM®4632 是一款完整的三路输出降压型 µModule® 稳压器,专为支持新型 QDR-IV 和较老式的 DDR RAM 所需要的全部三个电压轨而设计,其采用一个重 0.21g、外形超薄的微型 LGA 封装 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)。

  封装中内置了开关控制器、电压除二威廉希尔官方网站 、功率 FET、电感器和支持组件。其纤巧的占板面积和低外部组件数 (少至一个电阻器和三个电容器) 仅占用0.5cm2 (双面) 或 1cm2 (单面),而它扁薄的外形则使其能安装在 PCB 的背面,这样就可腾出 PCB 正面的空间以实现超紧凑的威廉希尔官方网站 板设计。

  LTM4632 采用一个介于 3.3V 和 15V 之间的输入电压工作,可提供 0.6V 至 2.5V 的精准输出轨电压。该器件的两个开关稳压器输出 VOUT1 和 VOUT2 分别为 VDDQ 提供高达 3A 和 VTT 总线终端轨提供高达 ±3A。它的第三个输出为跟踪电压的终端基准 (VTTR) 提供一个低噪声缓冲 10mA 输出。图 1 示出了一种典型 DDR3 应用中的 LTM4632 威廉希尔官方网站 ,显现了其简单的解决方案和小的组件数目。

用于DDR、QDR和QDR-IV SRAM的超薄型三路输出µmodule稳压器

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