三星为满足日益增长的市场需求宣布提高8GB HBM2显存产能和生产量，为NVIDIA Volta显卡开始备战

　　三星宣布正在扩大8GB HBM2的生产量，满足人工智能、HPC（高性能计算），先进图形绘制、网络系统和企业服务器等领域日益增长的市场需求。

　　三星半导体事业部今天宣布将会提高8GB HBM2显存产能，以满足日益增长的市场需求。三星最先在去年初量产出4GB容量的HBM2显存，并且使用了相同的多层堆栈技术以提高单显存芯片容量。三星选择这个时机增加HBM2产能，和可能与NVIDIA将会在下一代Volta架构游戏显卡中大规模引入HBM2显存有关。

　　三星电子存储销售与营销团队副总裁Jaesoo Han表示，“通过扩产行业独有的8GB HBM2产品，确保充足的供应满足IT系统厂商开发新产品和升级系统，三星将与客户密切合作，持续提供更先进的HBM2产品线。”

　　三星8GB HBM2由8个8Gb Die和一个缓冲Die在底部组成，通过TSV硅穿孔和micro-bumps微凸点技术彼此连接。每个8Gb Die包含5000多个TSV硅穿孔，三星8GB HBM2封装有40000多个TSV。

　　三星半导体说宣布增加8GB HBM2显存的目的很简单，就是满足各行各业在如人工智能、HPC高性能计算、先进的绘图性能、网络系统以及企业级服务器的需求，这些应用对于超高带宽的显存有着极致需求。

　　三星研发的8GB HBM2显存技术上与之前的4GB基本一致，只不过是由原来的4-Hi堆栈提升至8-Hi堆栈，每一层显存容量为8Gb（1GB），8层共同构成8GB容量，想比原来传统的GDDR5显存可以节省95%的PCB面积（AMD Fury和Vega就是最好的例证）。不过也别小瞧了三星的这个8-Hi堆栈，每层die之间都需要使用TSV硅穿孔技术连接，一层就要打上5000个微孔，8层就是40000多个孔，确实可怕。

　　三星的HBM2显存拥有256GB/s的带宽，是现在的GDDR5显存8倍之多，也是HBM1的两倍，而且HBM2的效能也得到了提升，每瓦特带宽是GDDR5的两倍，对于数据密集型计算的应用来说，优势巨大。

　　HBM2拥有256GB/s的数据传输带宽，是32GB/s GDDR5 DRAM芯片的8倍，较4GB容量翻倍的8GB HBM2有助于提高系统的性能和能源效率，可理想的升级密集、高端计算应用的数据处理，以及并行计算和图形绘制。

　　为了满足市场需求的增加，三星预计到2018上半年大量生产的8GB HBM2在HMB2的占比将超过50%。

　　HBM2和TSV（Through Silicon Via）技术应用于最新的DRAM解决方案，三星承诺致力于DRAM技术的创新，三星8GB HBM2可体现行业HBM2性能的最高水平，以及可靠性和能源效率。

　　此外三星甚至放言，在明年上半年之前，旗下所生产的8GB HBM2显存将会覆盖50%以上的HBM2市场。如果没有NVIDIA的帮助，三星能完成自己放出的任务吗？

　　虽说NVIDIA是三星HBM2显存的最大客户，在之前的NVIDIA Tesla P100、V100均已经用上了16GB的HBM2显存，但是NVIDIA在Pascla架构上，顶级的GTX 1080、GTX 1080 Ti、Titan X、Titan Xp上只是用上了与美光联合开发的超高频率GDDR5X显存，由高频弥补GDDR5显存带宽不如HBM2的缺点，如此算来，GDDR5X还不算落后，NVIDIA可能因为成本原因不着急用上HBM2显存。

　　而另一方面AMD则是已经在不断宣扬HBM2的优势，并且专门为其设置HBCC主控，具备更加强大内存寻址性能。AMD已经完全押宝在HBM2上了，HBM3的应用估计也在路上了。不过AMD的HBM2显存则是由韩国另一家半导体巨头SK海力士提供，即将发布的RX Vega显卡也是采用了2颗8GB HBM2显存。