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Toshiba东芝TPH4R50ANH1 MOSFETs硅N沟道MOS规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.48 MB | 2024-09-02

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TPH4R50ANH1 MOSFET 拥有多个关键特性，使其在高效 DC-DC 转换器、开关电压调节器和电机驱动器中备受青睐：

  1. 高速切换：
    • TPH4R50ANH1 的一大亮点就是其高速切换能力。这对于减少切换过程中的能量损耗至关重要，从而提高整个系统的效率。其典型门电荷 (QSW) 为 22 nC，输出电荷 (Qoss) 为 79 nC，确保最小的切换损耗，进而有助于更好的热管理，并减少冷却需求。
  2. 低导通电阻 (RDS(ON))：
    • TPH4R50ANH1 的导通电阻在 VGS = 10V 时仅为 3.7 mΩ（典型值）。在需要最大限度降低导通损耗的应用中，这种低 RDS(ON) 是关键。在电源应用中，每一毫欧的阻抗都可能转化为显著的功率节约，使这款 MOSFET 成为节能设计的理想选择。
  3. 低漏电流：
    • TPH4R50ANH1 的漏电流 (IDSS) 最大值仅为 10 µA（在 VDS = 100 V 时），确保在待机或低功耗状态下的最小能量浪费。此特性对电池供电设备或对功耗要求极高的系统尤为重要。
  4. 增强的热管理：
    • MOSFET 的热性能往往是高功率应用中的限制因素。TPH4R50ANH1 的最大结壳热阻 (Rth(ch-c)) 为 0.71°C/W，即使在严苛的条件下也能有效散热。再加上在 Tc = 25°C 时高达 170 W 的功耗评级，使得这款 MOSFET 能在高功率环境中可靠运行。
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