英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技术创新和卓越性价比,在全球范围内树立了高压超级结MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅基MOSFET技术的集大成者,CoolMOS™ 8不仅标志着对现有高/低功率开关电源(SMPS)市场的一次深刻变革,更是对CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术生态的有力补充与扩展。
该系列的创新亮点在于,所有CoolMOS™ 8器件均集成了先进的快速体二极管技术,这一革命性设计彻底打破了传统应用限制,使得设计人员在构建各种复杂威廉希尔官方网站 时拥有了前所未有的灵活性和效率。无论是哪种主流拓扑结构,CoolMOS™ 8都能轻松应对,成为推动电源管理领域技术创新与优化的关键力量。
随着CoolMOS™ 8的推出,英飞凌不仅成功替代了广受好评的CoolMOS™ 7系列(涵盖P7、S7、CFD7、C7、G7及PFD7等多个型号),更以更加出色的性能和成本效益,为全球工程师提供了更为理想的解决方案选择。这一里程碑式的成就,无疑将进一步巩固英飞凌在全球半导体行业的领先地位,并推动整个行业向更高效、更可靠、更环保的方向发展。
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