本文设计了一种应用于负电源的电平位移威廉希尔官方网站 。实现从 0~8V 低压逻辑输入到 8~-100V 高压驱动输出的转换。分析了该威廉希尔官方网站 的结构和工作原理。基于此威廉希尔官方网站 结构设计了满足应用要求的高压薄膜 SOI LDMOS 器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。
随着智能功率 IC 的发展.其应用领域和功能都在不断地扩展。而作为智能功率 IC 中的重要一类栅驱动 IC 在功率开关、显示驱动等领域得到广泛应用。在栅驱动威廉希尔官方网站 中需要电平位移威廉希尔官方网站 来实现从低压控制输入到高压驱动输出的电平转换。而在一些领域如 SOC 中的待机模式激活、ESD 保护等需要能工作在负电源的电平位移威廉希尔官方网站 。
SOI(Silicon-On-Insulator)技术以其高速、低功耗、高集成度、极小的寄生效应以及良好的隔离等特点,在集成威廉希尔官方网站 设计应用中倍受青睐。其优良的介质隔离性能使得智能功率 IC 中高低压器件的隔离更为完善。
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