电容串并联分压计算方法及公式

电子常识

2647人已加入

描述

  大电容由于容量大,所以体积一般也比较大,且通常使用多层卷绕的方式制作,这就导致了大电容的分布电感比较大(也叫等效串联电感,英文简称ESL)。

  电感对高频信号的阻抗是很大的,所以,大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反,由于容量小,因此体积可以做得很小(缩短了引线,就减小了ESL,因为一段导线也可以看成是一个电感的),而且常使用平板电容的结构,这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能,但由于容量小的缘故,对低频信号的阻抗大。

  所以,如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过,就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。

  常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行),当频率更高时,还可并联更小的电容,例如几pF,几百pF的。而在数字威廉希尔官方网站 中,一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地(这个电容叫做退耦电容,当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好),因为在这些地方的信号主要是高频信号,使用较小的电容滤波就可以了。

  理想的电容,其阻抗随频率升高而变小(R=1/jwc), 但理想的电容是不存在的,由于电容引脚的分布电感效应, 在高频段电容不再是一个单纯的电容,更应该把它看成一个电容和电感的串联高频等效威廉希尔官方网站 ,当频率高于其谐振频率时, 阻抗表现出随频率升高而升高的特性,就是电感特性,这时电容就好比一个电感了。相反电感也有同样的特性。

  大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛的用到,根本原因就在于电容的自谐振特性。大小电容搭配可以很好的抑制低频到高频的电源干扰信号,小电容滤高频(自谐振频率高),大电容滤低频(自谐振频率低),两者互为补充

  串联分压比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V 。。。。。。。。电容越大分得电压越小,交流直流条件下均如此

  并联分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I 。。。。。。。。电容越大通过的电流越大,当然,这是交流条件下

  电容串联值下降,相当板距在加长,

  各容倒数再求和,再求倒数总容量。

  电容并联值增加,相当板面在增大,

  并后容量很好求,各容数值来相加。

  想起电阻串并联,电容计算正相反,

  电容串联电阻并,电容并联电阻串。

  说明:两个或两个以上电容器串联时,相当于绝缘距离加长,因为只有最靠两边的两块极板起作用,又因电容和距离成反比,距离增加,电容下降;两个或两个以上电容器并联时,相当于极板的面积增大了,又因电容和面积成正比,面积增加,电容增大。

  电容串联:电容串联后容量减小,耐压值变大。公式:1\C1+1\C2=1\C 如两个50uf串联起来就变成25uf.

  耐压值=两个电容耐压值相加如两个耐压100V的串联起来就变成200V的了。

  电容C的串联威廉希尔官方网站 容量计算公式:1/C=1/C+1/C2+1/C3+.+1/Cn

  C为电容串联威廉希尔官方网站 总电容值,C1,C2,C3,Cn为电容并联威廉希尔官方网站 各个电容的电容值

  即串联威廉希尔官方网站 总电容值的倒数等于串联威廉希尔官方网站 中各个电容容量值的倒数之和

  两个电容串联两端加一定电压两电容的分压是怎么分的

  电容

  如图C1、C2电容容量比是10:1,标称耐压都是1000V,两端加1000V电压时,C1C2的分压分别是多少?原边对地和副边对地的两个Y电容的分压是怎么计算的?

  两个电容上的电荷Q一样,面Q=UC

  所以U1*C1=U2*C2U1/U2=C2/C1=1/10

  电容串联怎么分压

  比如:4V的电压源,0.5F和1F的两个电容串联

  1.如果是直流电压源,可根据中学物理中介绍电容串联分压特点为:

  (1)电容串联威廉希尔官方网站 两端的总电压等于各电容器两端的分压之和。即U= U1+ U2+ U3+…+Un.

  (2)电容器串联时各电容器上所分配的电压与其电容量成反比。即Un =Q / Cn(因为在电容器串联威廉希尔官方网站 中,每个电容器上所带的电荷量都相等,所以电容量越大的电容器分配的电压越低,电容量越小的电容器分配的电压越高。)

  那么4V的电压源,0.5F和1F的两个电容上的电压分别是8/3V和4/3V 2.如果是交流电压源,由电容的阻抗Xc=1/jωC ,可知|Xc|与C成反比,将|Xc|当做电阻来分压计算,可所得同样结果!

  两电容器串联的分压公式是什么

  这是一个理论计算题,需要假设电容的耐压值没有余量,即超过500V时200pF的电容即击穿;超过900V时300pF的电容即击穿。

  加上1000V电压后,200pF的电容将承受600V电压,不考虑电容的耐压富余量,则200pF电容将击穿;此时1000V将全部加在300pF的电容上,超过其耐压,故也会击穿。

  计算公式:

  若有M个电容串联,其中任意一个电容Cn实际承受的电压值Un为:

  Un=U*C/Cn 其中:U为总电压;C为M个电容串联后的总容量。

  对于两个电容串联,公式演变为:

  设总电压是U,C1、C2上的电压分别是U1、U2,则

  U1=C2*U/(C1+C2)

  U2=C1*U/(C1+C2)

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分