新品发布 | 超宽体，超高耐压，光耦兼容，单通道隔离驱动CCi8335系列芯片

新品发布

针对1.5kV光伏逆变器应用系统，芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要，CCi8335在耐压方面进行了全方位优化，采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装，同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术，AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV，VISO=8KVrms；VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk, 动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。

 ▲超宽体封装 SOP8WW，具有15mm爬电距离

产品优势与主要特性

1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器

2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术，远超增强型隔离标准

VIOWM ≥ 2000VRMS 

隔离等级高达 8000VRMS

浪涌能力高达 24kVPK

3、共模瞬态抑制：典型值大于±150V/ns

4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 33V

5、UVLO 四档可选（A-5V, B-8V, C-10V, D-12V）

6、具有 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流

7、60ns 典型传播延迟

8、25ns 最大脉宽失真

9、输入级具有 24V 反向电压处理，反向击穿电压 26V

10、多项国家发明专利，超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。

应用场景

太阳能逆变器、储能

变频器、直流充电桩

 UPS 和电池充电器

隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动

 ▲ 典型应用图

实测数据

CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生，实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV, VISO=8KVrms; VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk，动态CMTI>150V/ns, 达到了目前国际领先的隔离耐压水平。

1、超高耐压、超强可靠性高可靠性，远超增强型隔离标准，国际领先
 

 VIOWM ≥ 2000VRMS

隔离等级高达 8000VRMS；

浪涌能力高达 24kV；AC BV ≥ 24kV

在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护

2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力

 ▲ 动态上升沿150GV/S

 ▲隔离器件对地寄生小，载波信号幅度强，

动态CMTI超过150V/ns；