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超深亚微米IC设计中的天线效应

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:544 | 2009-12-19

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超深亚微米IC设计中的天线效应
李蜀霞 刘辉华 赵建明 何春
(电子科技大学电子电子科学技术研究院 成都 610054)
【摘要】本文主要分析了超深亚微米集成威廉希尔官方网站 设计中天线效应产生机理及其消除方法，同时还给出了天线比率的具体计算方法。将这些方法应用于雷达信号处理SOC 芯片后端设计中，解决了设计中存在的天线效应问题，保证了一次流片成功。
关 键 词： 天线效应 栅氧 超深亚微米
中图分类号： 文献标识码
Antenna Effect in VDSM IC Design
Lishuxia Liuhuihua Zhaojianming Hechun
(Research Institute of Electronic Science and Technology of UESTC ChengDu 610054)
Abstract: The paper analyzed the mechanism and elimination methods of Process Antenna Effect in Ultra-deep submicron IC design, also provided the antenna ratio calculation mehod.And these methods were adopted in “CC0MP Radar SOC” layout design successfully.
Key words: PAE gate-oxide VDSM
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