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同步整流基础知识及最优化的MOSFET的选择

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.3 MB | 2017-12-06

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　　电源转换器的 封装密度日益提高和节能标准越来越严格，要求不断提高电源级的能效。隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗，因此，只有利用 同步整流（SR）才可能达到这些标准要求的能效水平。用 MOSFET 替代二极管引发了新的挑战——优化系统能效和控制电压过冲。本应用笔记介绍了通过利用 英飞凌 OptiMOS™3解决方案的优化表（适用于30 V、40 V、60 V、75 V、80 V、100 V、120 V 和150 V 等应用）帮助选择最佳 MOSFET 的方法。

　　同步整流基础知识及最优化的MOSFET的选择

　　同步整流基础知识

　　要选择最优的 MOSFET 来实现同步整流，必须充分理解 MOSFET 的功耗产生机制。首先，必须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗。 导通损耗取决于MOSFET 的 RDS（on）和内部体二极管的正向电压 VSD。随着输出电流的提高，导通损耗（RDS（on）损耗）也会相应地增加。为确 保两个 SR MOSFET 之间互锁，以避免出现直通电流，必须实现一定的死区时间。因此，在开启一次侧之前，必须关断相应的 MOSFET。

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