联电新推40nmSST嵌入式快闪记忆存储器制程

联华电子宣布，该公司推出40纳米结合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash非挥发性存储器的制程平台。新推出的40nm纳米SST嵌入式快闪记忆，较量产的55纳米单元尺寸减少20%以上，并使整体存储器面积缩小了20～30%。东芝电子元件&存储产品公司已开始评估其微处理器（MCU）芯片于联华电子40纳米SST技术平台的适用性。

东芝电子元件&存储产品公司混合信号芯片部门副总松井俊也表示：「我们期待采用联华电子40纳米SST技术有助于提升我们MCU产品的性能。与联电合作，透过稳定的制造供应及配合我们的生产需求提供灵活的产能，亦将使我们能够保持强劲的业务连续性计画 （BCP）。」

已有超过20个客户和产品正以联华电子55纳米SST嵌入式快闪存储器制程进行各阶段的生产，包含了SIM卡，金融交易，汽车，物联网，MCU及其它应用产品。

联华电子特殊技术组织协理丁文琪表示：「自2015年提供55纳米SST嵌入式快闪存储器成为主流技术以来，我们一直受到客户的高度关注，藉此制程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的数据保留和高耐久性的特性，可用于汽车、工业、消费者和物联网的应用。我们很高兴将这些产品进入大批量产，并正努力将这嵌入式快闪存储器解决方案扩展到40纳米的技术平台，期待将SST的高速度和高可靠性优势带给东芝和其它晶圆专工客户。」

联华电子坚实的分离式闸极存储器单元SST制程，依据JEDEC所制定的规范标准，具100K耐久性和在85℃及工作温度范围为-40℃～125℃温度下，数据可保存10年以上。除40纳米SST制程外，还有20多家客户使用该公司的55纳米SST技术生产各类应用产品。