新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装

新品

CoolSiC MOSFET 650V G2，

7mΩ，采用TO247和TO247-4封装

CoolSiC MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的系统设计。交流-直流、直流-直流和直流-交流威廉希尔官方网站 及其组合。

产品型号：

■ IMW65R007M2H

■ IMZA65R007M2H

产品特点

优异的性能指标（FOM）

个位数RDS(on）

坚固耐用，整体质量高

灵活的驱动电压范围

支持单电源驱动，VGS（off）=0

避免误开通

.XT技术改进封装互联

应用价值

节省物料清单

最大限度地提高单位成本的系统性能

最高可靠性

实现最高效率和功率密度

易于使用

与现有供应商完全兼容

允许无需风扇或无散热器设计

竞争优势

开关损耗极低

标杆性栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

栅极关断电压为0V，可抵御寄生导通

驱动电压灵活，与正负电源驱动兼容

用于硬换流的坚固体二极管

.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

竞争优势

开关电源(SMPS)

光伏逆变器

储能系统

UPS

电动汽车充电

电机驱动