纳微半导体荣获2024行家极光奖三项大奖

近日，一年一度的行家说三代半年会“2024碳化硅&氮化镓产业高峰william hill官网 暨极光奖颁奖典礼”重磅召开。纳微半导体凭借2024年优异的应用和产品表现，荣获三项重磅大奖！

本次行家说年会上，纳微半导体还带来一场以《GaN&SiC驱动AI数据中心跟车载电源创新》为主题的精彩演讲，分享了目前纳微半导体领先的氮化镓和碳化硅技术，如何为当下最热的AI数据中心和电动汽车带来更高功率、更高效率的功率转换解决方案。

第三代平导体应用推动突破奖

2024年，生成式AI进入了井喷式发展，为背后的数据中心带来了惊人的能源危机，服务器电源作为最大耗电点之一，亟需向更高效率和更高功率密度迈进。

纳微半导体敏锐地察觉到了这一趋势，将旗下大功率GaNSafe氮化镓功率芯片与具有独特工艺——沟槽辅助平面栅的GeneSiC碳化硅功率器件进行结合，助力下一代AI数据中心电源功率突破飞升。

率先推出AI数据中心电源技术路线图

3月，纳微发布了AI数据中心电源技术路线图，计划在12-18个月实现电源功率的3倍提升，从3kW迅速拉至10kW。

全球功率密度最高的服务器电源

7月，纳微发布CRPS185 4.5kW服务器电源方案，其采用了氮化镓和碳化硅混合设计，以137W/in³的超高功率密度和超97%的效率冠绝全球。

全球首发8.5kW OCP电源

11月，纳微全球首发8.5kW OCP服务器电源，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

凭借着领先的产品性能，纳微GaNSafe和GeneSiC产品已成功在60多个客户项目中获得应用，获此殊荣可谓实至名归。

年度优秀产品：

GeneSiC 1700V碳化硅MOSFETS

纳微半导体的GeneSiC碳化硅MOSFETs产品系列，采用了专利的沟槽辅助平面栅技术，平面和沟槽优势互补，可支持高产量制造、快速冷却运行以及延长寿命的可靠性。

此次获奖的1700V碳化硅MOSFETs，具有最优的FoM品质因素和温度特性以及最低的Rdson，达到了全球领先的性能，有效打造高效、可靠的功率转换方案，在储能以及中压功率模块应用中得到了广泛应用。

年度创新产品：

GaNFast Bi-Directional双向氮化镓开关

在双碳要求下，光伏和风能等新能源进入了黄金发展期。氮化镓凭借着高频率，低损耗的优势，成为这类绿色能源存储的关键角色。

纳微GaNFast Bi-Directional双向氮化镓开关是一款优化的双向开关，能够阻断两个方向的电压。每个源极和公共基板之间的单片集成基板钳位威廉希尔官方网站 可自动钳位源极到基板的电压以防止背栅效应。

1颗Bi-GaN氮化镓功率芯片可以相当于4颗同等Rdson的单向氮化镓器件，可广泛的应用于单极矩阵变换器拓扑中，使得逆变器峰值效率升至97%，获得海内外头部微逆客户的采用和关注。

此番三斩行业大奖，充分展现了纳微在电气化之路上所取得的卓越成果。未来，纳微将继续不断加速下一代功率半导体技术研发，助力更多行业进入高效、绿色的能源“芯”篇章！