应用指南导读 | 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局

作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保威廉希尔官方网站 正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。

《优化HV CoolGaN功率晶体管的PCB布局》应用指南，主要讨论了在使用高压氮化镓（GaN）功率晶体管时，如何通过优化PCB布局来提升整体电气性能和热性能。以下是文件的核心内容提炼：

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 引言 

高压氮化镓（HV CoolGaN）晶体管：快速开关能力给PCB布局带来挑战。

PCB布局优化目标：确保威廉希尔官方网站 正确、可靠运行，避免电磁干扰（EMI）。

关键概念：理解寄生阻抗、电流流动路径的重要性。

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实际问题

寄生元件：包括寄生电阻、寄生电容和寄生电感，可导致威廉希尔官方网站 故障、EMI、振荡等问题。

快速开关问题：GaN晶体管的快速开关导致高峰值电流和dv/dt、di/dt值，增加布局挑战。

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半桥拓扑

半桥拓扑应用：电力电子领域广泛应用，适合GaN晶体管。

强制函数概念：电流被视为强制函数，电压变化是电流变化的效应。

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互感和部分电感

电感概念：包括总电感、部分电感和互感，互感可正可负，影响总电感。

布局影响：PCB布局中的电流路径和返回路径的几何关系决定互感大小。

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封装电感

封装电感值：直插式封装电感相对固定，表面贴装封装电感取决于布局。

优化布局：通过优化电流返回路径降低封装电感。

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顶部散热式晶体管封装

优点：无需热通孔，降低成本，允许独立优化电气布局。

热界面材料：用于连接散热器和晶体管，提供热路径。

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功率回路布局选项

不同布局比较：包括TO-247封装、表面贴装TOLL布局等。

过电压评估：通过估算不同布局下的过电压，选择合适的布局。

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栅极驱动布局

栅极驱动回路：低阻抗设计，避免振铃、过冲等问题。

布局挑战：优化栅极驱动布局与电源回路布局之间的权衡。

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驱动法拉第屏蔽

屏蔽作用：减轻栅极驱动威廉希尔官方网站 与总线接地平面之间的共模电容影响。

实施方法：在PCB背面添加地平面，隔离栅极驱动威廉希尔官方网站 与总线接地电容。

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主要建议摘要

考虑电流流动路径：包括寄生元件和返回路径。

优化布局电感：利用薄电介质PCB层，减少布局电感。

封装与散热：选择顶部冷却封装，优化电气和热路径。

栅极驱动布局：使用平面作为返回路径，避免电容电流干扰。

保持开关节点紧凑：降低电容和辐射。

文件最后提供了参考文献和修订记录，并强调了使用文件内容时的注意事项和免责声明。整体而言，该文件为使用HV CoolGaN功率晶体管的工程师提供了详细的PCB布局优化指南，旨在帮助他们实现最佳的整体电气性能和热性能。