NSG6000 650V单通道半桥栅极驱动芯片介绍

NSG6000 650V 单通道 半桥栅极驱动芯片

NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。

产品特性

最高芯片耐压650V

兼容3.3V，5V，15V输入逻辑

Vs负偏压能力达-9V

防直通保护：

--死区时间130ns

欠压锁定

--VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V

--VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V

驱动电流能力：

--拉电流/灌电流=0.6A/1A

SOP8封装

功能框图

封装管脚图

推荐应用范围

冰箱

洗衣机

家用空调

逆变器

冰箱应用威廉希尔官方网站

VS负偏压测试数据

我司产品有较强的VS负过冲耐受能力，pulse可达-80V@200ns；直流负偏压可达-9V以下。

 

负偏压测试

负过冲测试

Switching测试

双脉冲

50脉冲

参数对比

我司产品相比市场上同类型号产品：

--电流能力更大，可以驱动电流能力更大的功率管；

--静态电流更低，更低的功耗。

拉灌电流测试数据

拉电流测试

灌电流测试