美光科技计划大规模扩大DRAM产能

　　据业内消息，美光科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能，与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴，美光近期将具体落实对现有DRAM工厂进行改造的投资计划。

　　去年底，美光科技宣布将在弗吉尼亚州马纳萨斯地区投资高达21.7亿美元（约合158.86亿元人民币），用于升级其半导体工厂。该工厂是一家内存工厂，自2018年起开始建设新生产线和研发中心，而此次投资是约七年来首次追加的资金投入。

　　美光计划利用这笔资金更新马纳萨斯晶圆厂的设施，并专注于为汽车、航空航天和国防等特殊行业批量生产尖端DRAM。然而，美光并未透露具体的转产投资计划或产能扩大规模。

　　为了支持美光的这一投资，美国商务部计划提供总计2.75亿美元的补贴。去年12月，美国商务部与美光科技签署了内容相同的初步交易备忘录。

　　此外，美光还在积极投资扩大爱达荷州和纽约州的DRAM产能。其中，纽约州的投资额将达到约1000亿美元，而爱达荷州的投资额为250亿美元。美国商务部已确认将为这些投资提供价值61.65亿美元的半导体补贴。

　　如果将弗吉尼亚州的投资也计算在内，美光科技将总共投资1271.7亿美元（约合9309.61亿元人民币）用于扩张。

　　美国正努力加强其国内内存供应链，而美光科技在这一领域处于领先地位。美国商务部表示，有了美光的投资，到2035年，美国在先进存储芯片制造市场的份额有望从目前的不足2%增加到约10%。

　　同时，在台湾地区，美光科技也专注于扩大HBM（高带宽内存）产能。去年8月，美光以81亿新台币收购了友达位于台中和台南的两家工厂，并计划将这些工厂改建为生产HBM等尖端DRAM产品的生产线。