1Type-c接口ESD保护芯片选择
Type-C接口在平时使用中,经常需要插拔,更容易受人体静电放电的伤害,其内部是高集成度的芯片,静电放电会造成元器件性能减弱甚至损坏同时,Type-C接口具备的更高数据传输速率,快充功能这些优势,对静电防护的要求将会更高。
Type-C接口ESD防护组件,得兼具以下三项要求:
1、更高的Ipp
2、耐受能力最少要能承受IEC 61000-4-2接触模式8kV ESD的冲击
3、封装大小不宜过大
4、更低的Vc
因此晶扬电子推荐选用TT0516ST,TT0374SP-HFx,TS2451LJ-P三款芯片。
表1 三款芯片的主要性能参数表
TT0516ST
从下图可以看出,TT0516ST主要是由具有一定的ESD保护电压额定值的二极管阵列组成的,它具有6个通道数,VRWM(最大连续工作的脉冲电压)为5V,即反向电压5V加于TT0516ST上时,二极管阵列处于反向关断状态;VBR(最小的雪崩电压)为6V,即25°C时,所加的反向电压在6V之前,保护的二极管阵列不导通;TT0516ST的VC@Ipp为12V@1A,即在流过的峰值电流为1A其两端电压可以钳位在12V;寄生电容Cj仅为0.4pF,能够保证高频信号稳定传输不失真。
图1 TT0516ST内部威廉希尔官方网站 图
图2 TT0516ST内部引脚图
图3 TT0516ST钳位电压图
图4 TT0516ST芯片的TLP测试曲线图
TT0374SP-HFx
这款芯片是晶扬最新推出的新品,从下图可以看出,TT0374SP-HFx主要是由具有一定的ESD保护电压额定值的二极管阵列组成的,它具有4个通道数,VRWM(最大连续工作的脉冲电压)为3.3V,即反向电压3.3V加于TT0374SP-HFx上时,二极管阵列处于反向关断状态;VBR(最小的雪崩电压)为6.2V,即25°C时,所加的反向电压在6.2V之前,保护的二极管阵列不导通;TT0374SP-HFx的VC@Ipp为6.6V@7A,即在流过的峰值电流为7A其两端电压可以钳位在6.6V; 值得一提的是,TT0374SP-HFx的工作漏电流IR仅为0.01μA,因此能够极小减少威廉希尔官方网站 工作的功耗。
性能亮点:
1、为确保通过高速信号数据传输的完整性,该新品具有超低电容(VR=0V,f = 1MHz:IO-GND容值低至0.26 pF)。
2、采用晶扬独有的深回滞前沿专利技术,新品具有较低的钳位电压(8/20μs测试波形:IPP=7A,Vc=6.6 V),相比普通的无回滞和浅回滞器件,深回滞器件能为威廉希尔官方网站 提供更好的保护性能。
3、具有较高的ESD耐受能力,能承受IEC 61000-4-2测试的14kV接触放电和15kV空气放电的ESD冲击。
4、外形小巧,具有四通路的集成阵列式DFN2510封装,可最大限度地减少在PCB上所占用的空间,且成本更低。
图5 TT0374SP-HFx引脚配置图
TS2451LJ-P
从下图可以看出,TS2451LJ-P是由一个单一二极管组成的,因此它只具有1个通道数,属于单向器件。再由表1可知,TS2451LJ-P 是一款采用DFN2020-3L封装的单向24V保护器件,具备强大的冲击威廉希尔官方网站 承受能力,其Ipp(脉冲峰值电流)可达200A,能够在瞬时大电流冲击下保持正常工作。
VRWM(最大连续工作的脉冲电压)为24V,即反向电压24V加于TS2451LJ-P上时,二极管阵列处于反向关断状态;VBR(最小的雪崩电压)为26V,即25°C时,所加的反向电压在26V之前,保护的二极管阵列不导通;TS2451LJ-P的VC@Ipp为33V@200A,即在流过的峰值电流为200A其两端电压可以钳位在33V,漏电流IR仅为0.5μA,能够实现低功耗的工作。
图6 TT2451LJ-P威廉希尔官方网站 示意图
2USB接口ESD保护芯片选择
USB2.0高速接口
1、为确保通过USB2.0传递高速信号完整性,选择该器件时需使用具有较低电容的ESD保护组件
2、具有较高的ESD耐电压能力,至少要承受IEC 61000-4-2中规定的8kV接触放电的ESD冲击
3、ESD钳位电压是比较重要参数。较低的钳位电压表示更好的保护性能。
VBUS 位置加 ESD 防护器件(一般为单向)
o 结电容大小不用过多考虑
o 最大反向工作电压:5V
o 击穿电压:6V左右
o 钳位电压:十几伏左右
· 差分信号线位置加 ESD 防护器件(一般为双向),防止静电从信号线损坏芯片
o 结电容:尽可能小,防止影响传输速率,最好在 1pF 以下
o 最大反向工作电压:5V
o 击穿电压:6V左右
o 钳位电压:十几伏左右
为满足以上要求,晶扬电子针对USB2.0 ESD/EOS推出其产品:TT0514TL、TT0521SB、TS0511LE。
表2 TT0514TL、TT0521SB、TS0511LE主要性能参数
TT0521SB
图7 TT0521SB威廉希尔官方网站 示意图
图8 TT0521SB引脚配置图
图9 TT0521SB芯片的TLP曲线
图10 TT0514TL威廉希尔官方网站 示意图
图11 TT0514TL引脚配置图
TT0514TL
图10 TT0514TL威廉希尔官方网站 示意图
图11 TT0514TL引脚配置图
图12 TT0514TL芯片的TLP曲线图
TT0511LE
图13 TT0511LE引脚配置图
图14 TT0511LE封装芯片示意图
USB3.0高速接口
针对传输速度和稳定性更高的USB3.0选择ESD保护芯片,采用的是晶扬电子最新推出的ESD新品TT0374SP-HFx,该产品具有以下优势:
1、为确保通过高速信号数据传输的完整性,新品具有超低电容(VR=0V,f = 1MHz:IO-GND容值低至0.26 pF)。
2、采用我司独有的深回滞前沿专利技术,新品具有较低的钳位电压(8/20μs测试波形:IPP=7A,Vc=6.6 V),相比普通的无回滞和浅回滞器件,深回滞器件能为威廉希尔官方网站 提供更好的保护性能。
3、具有较高的ESD耐受能力,能承受IEC 61000-4-2测试的14kV接触放电和15kV空气放电的ESD冲击。
4、外形小巧,具有四通路的集成阵列式DFN2510封装,可最大限度地减少在PCB上所占用的空间,且成本更低。
5、值得一提的是,TT0374SP-HFx的工作漏电流IR仅为0.01μA,因此能够极小减少威廉希尔官方网站 工作的功耗。
表3 TT0374SP-HFx、TT0514TL芯片主要性能参数表
TT0514TL
图15 TT0514TL威廉希尔官方网站 示意图
图16 TT0514TL引脚配置图
图17 TT0514TL芯片的TLP曲线图
TT0374SP-HFx
图18 TT0374SP-HFx引脚配置图
晶扬电子-威廉希尔官方网站 与系统保护专家
深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,是国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”科技企业,是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN
HOUSE,拥有百余项有效专利等知识产权。建成国内唯一的广东省ESD保护芯片工程技术研究中心,是业内著名的“威廉希尔官方网站 与系统保护专家”。
主营产品:ESD、TVS、MOS管、DC-DC,LDO系列、霍尔传感器,高精度运放芯片,汽车音频功放芯片等。
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