三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

　　据韩媒MoneyToday报道，三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4(High Bandwidth Memory 4)内存规划方面产生影响。

　　原本，三星电子计划在2024年12月前将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，这是结束开发工作并进入量产阶段所必需的水平。然而，尽管三星在去年底已经成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，但整体良率并未达到预期要求，导致原定的量产计划受阻。

　　此次良率里程碑的延期，反映出半导体制造领域的技术挑战和不确定性。随着制程技术的不断推进，提高良率成为一项日益艰巨的任务。三星作为全球领先的半导体制造商，其1c nm DRAM的开发进展备受业界关注。

　　此次延期可能会对三星的市场竞争力和产品规划产生一定影响。不过，三星方面表示将继续加大研发投入，努力提升良率，以确保1c nm DRAM能够按计划顺利进入量产阶段。