TPS7A11 具有使能功能的 500mA、低 VIN (0.75V)、超低 IQ、低压差稳压器数据手册

描述

TPS7A11 是一款超小型、低静态电流、低压差稳压器 (LDO)。该器件可提供 500 mA 电流,具有出色的交流性能(负载和线路瞬态响应)。该器件的输入范围为 0.75 V 至 3.3 V,输出范围为 0.5 V 至 3.0 V,在负载、线路和温度范围内具有 1.5% 的极高精度。这种性能非常适合为现代微控制器 (MCU) 和模拟传感器的较低内核电压供电。

主电源路径通过 IN 引脚,可连接到比输出电压高 140 mV 的电源。该器件使用额外的 V 支持非常低的输入电压偏见用于为 LDO 内部威廉希尔官方网站 供电的 rail。IN 和 BIAS 引脚分别消耗 1.6 μA 和 6 μA 的极低静态电流。低 IQ超低压差特性有助于提高解决方案在功耗敏感型应用中的效率。例如,IN 引脚的电源电压可以是高效 DC/DC 降压稳压器的输出,而 BIAS 引脚的电源电压可以是可充电电池。

TPS7A11 配备了一个有源 Pulldown 威廉希尔官方网站 ,可在禁用时快速对输出放电,并提供已知的启动状态。

*附件:TPS7A11 500mA、低 VIN、低 VOUT、超低压差稳压器数据表.pdf

该TPS7A11采用小型 2.00mm × 2.00mm WSON、6 引脚 (DRV) 封装和超小型 0.74mm × 1.09mm、5 引脚 DSBGA (YKA) 封装,使该器件适用于空间受限的应用。

特性

  • 超低输入电压范围:0.75 V 至 3.3 V
  • 超低压差,功率损耗最小:
    • 500mA DRV 封装时为 140mV(最大值)
    • 500mA YKA 封装时为 110mV(最大值)
  • 低静态电流:
    • VQ = 1.6 μA(典型值)
    • V偏见Q = 6 μA(典型值)
  • 在负载、线路和温度范围内精度为 1.5%
  • 高 PSRR:1 kHz 时为 64 dB
  • 提供固定输出电压:
    • 0.5 V 至 3.0 V(以 50 mV 为步长)
  • V偏见范围:1.7 V 至 5.5 V
  • 包:
    • 2.0 毫米 × 2.0 毫米 WSON (6)
    • 0.74 mm × 1.09 mm DSBGA (5)
  • 有源输出放电

参数

低压差稳压器

方框图

低压差稳压器

1. 产品概述

TPS7A11是一款超低输入电压、超低输出电压、超低压差(LDO)稳压器,提供高达500mA的输出电流。它专为电池供电的便携式设备设计,具有极低的静态电流和出色的瞬态响应性能。

2. 主要特性

  • 超低输入电压范围‌:0.75V至3.3V。
  • 超低输出电压范围‌:0.5V至3.0V。
  • 超低压差‌:最大140mV(DRV封装),最大110mV(YKA封装)。
  • 低静态电流‌:VIN端静态电流典型值为1.6µA,BIAS端静态电流典型值为6µA。
  • 高精度‌:输出电压精度高达1.5%。
  • 快速瞬态响应‌:支持快速变化的负载和输入电压。
  • 小尺寸封装‌:提供2mm×2mm WSON(DRV)和0.74mm×1.09mm DSBGA(YKA)封装。

3. 应用领域

  • 便携式设备‌:如智能手表、无线耳机、相机模块、智能手机和平板电脑、便携式医疗设备、固态硬盘(SSD)等。

4. 电气特性

  • 输出电压准确性‌:在-40°C至125°C的温度范围内,输出电压准确性为±1.5%。
  • 负载调节‌:0.2%/A(在1mA至500mA输出电流范围内)。
  • 线性调节‌:输入电压变化0.1V时,输出电压变化小于0.001%/V。
  • 电源抑制比(PSRR) ‌:在1kHz时,VIN PSRR为64dB,BIAS PSRR为56dB。

5. 功能描述

  • 使能引脚‌:高电平使能,低电平禁用。
  • BIAS引脚‌:允许使用超低输入电压,提高低输出电压应用的效率。
  • 主动放电‌:禁用时,通过内部MOSFET和120Ω电阻快速放电输出电容。
  • 过流保护‌:内置折返电流限制,防止过载或短路损坏。
  • 热关断‌:过热时自动关断输出,保护器件免受损坏。

6. 封装与尺寸

  • DRV封装‌:2mm×2mm WSON,6引脚。
  • YKA封装‌:0.74mm×1.09mm DSBGA,5引脚。

7. 典型应用威廉希尔官方网站 与布局指南

  • 典型应用威廉希尔官方网站 ‌:数据表中提供了详细的典型应用威廉希尔官方网站 图,包括输入电容、输出电容、BIAS电容和使能引脚的连接方式。
  • 布局指南‌:建议将输入、输出和BIAS电容尽可能靠近器件放置,以减小寄生电感,提高稳定性。同时,使用铜平面进行热管理,并在器件下方放置热过孔以优化散热。

8. 文档与支持资源

  • 数据表‌:提供了详细的技术规格、电气特性和应用信息。
  • 评估模块‌:TPS720xxDRVEVM评估模块可用于初步威廉希尔官方网站 性能评估。
  • Spice模型‌:可通过TI产品文件夹获取,用于威廉希尔官方网站 仿真。
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