TLV757P 具有使能功能的 1A、低 IQ 高精度低压差 （LDO） 稳压器数据手册

TLV757P 低压差稳压器 （LDO） 是一款超小型、低静态电流 LDO，可提供 1A 电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。该TLV757P 支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围，针对各种应用进行了优化。为了最大限度地降低成本和解决方案尺寸，该器件提供 0.6V 至 5V 的固定输出电压。该系列支持现代微控制器 （MCU） 的较低内核电压。此外，TLV757P具有低 IQ 和启用功能，可最大限度地降低待机功耗。该器件具有内部软启动功能，可降低浪涌电流。此功能为负载提供受控电压，并最大限度地减少启动期间的输入电压降。关断时，该器件主动拉低输出以快速对输出放电，并提供已知的启动状态。

TLV757P 采用小型陶瓷输出电容器时保持稳定，可实现较小的整体解决方案尺寸。精密带隙和误差放大器提供 1% 的典型精度。所有器件版本均集成了热关断、电流限制和欠压锁定 （UVLO）。TLV757P具有内部折返电流限制，有助于减少短路事件期间的热耗散。
*附件：TLV757P 1A、低 IQ、小尺寸、低压差稳压器 数据表.pdf

TLV757 采用流行的 SON 和 SOT23-5 封装。该器件还采用带导热垫的热增强型 SOT23-5 封装 （DYD）。与标准 SOT23-5 封装相比，该封装的热阻显著降低。

特性

• SOT-23 （DYD） 封装，可提供 60.3°C/W RθJA
• 输入电压范围：1.45V 至 5.5V
• 提供固定输出电压：
  • 0.6V 至 5V （50mV 步长）
• 低 IQ：25μA（典型值）
• 低压差：
  • 1A 时为 425mV （最大值） （3.3VOUT）
• 输出精度：1%（最大值）
• 内置软启动，具有单调 VOUT 上升
• 折返电流限制
• 有源输出放电
• 高 PSRR：100kHz 时为 45dB
• 采用 1μF 陶瓷输出电容器时保持稳定
• 包：
  • 2.9 毫米 × 2.8 毫米 SOT-23-5 （DBV）
  • 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 （DYD） 封装，带导热垫
  • 2 毫米 × 2 毫米 WSON-6 （DRV）

参数

方框图

一、产品概述

1. 产品特点

• ‌ 低静态电流（IQ） ‌：典型值为25μA，有助于降低待机功耗。
• ‌小尺寸封装‌：提供SOT-23（DYD）封装，尺寸为2.9mm × 1.6mm，适用于空间受限的应用。
• ‌高压差性能‌：最大压差为425mV（在3.3V输出、1A负载条件下）。
• ‌固定输出电压‌：提供从0.6V到5V（以50mV为步长）的多种固定输出电压选项。
• ‌内部软启动‌：降低启动时的浪涌电流，提供对负载的受控电压。

2. 应用领域

• ‌便携式设备‌：如手机、平板电脑、遥控器等。
• ‌电池供电设备‌：如无线传感器、可穿戴设备等。
• ‌桌面和笔记本电脑‌：适用于需要低功耗电源管理的系统。
• ‌家用电器‌：如白色家电、智能家居设备等。

二、产品规格

1. 电气特性

• ‌输入电压范围‌：1.45V至5.5V。
• ‌输出电压范围‌：0.6V至5V（固定输出）。
• ‌输出精度‌：最大为1%。
• ‌负载调节‌：在0.1mA至1A负载范围内，负载调节率较低。
• ‌线性调节‌：具有优异的线性调节性能。

2. 热特性

• ‌结温范围‌：-40°C至+125°C。
• ‌ 热阻（RθJA） ‌：对于SOT-23（DYD）封装，热阻为60.3°C/W，有助于散热。

3. 保护功能

• ‌过温保护‌：内置热关断功能，防止过热损坏。
• ‌限流保护‌：具有内部折叠式限流保护，防止短路时损坏。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：确保在输入电压过低时关闭输出，保护负载。

三、应用指南

1. 电容选择

• ‌输入电容‌：建议使用1μF或更大的陶瓷电容，以减小输入阻抗并提高稳定性。
• ‌输出电容‌：建议使用1μF或更大的陶瓷电容，以优化瞬态响应和稳定性。建议使用X5R或X7R类型的电容。

2. 布局建议

• ‌元件布局‌：将输入和输出电容尽可能靠近TLV757P的相应引脚，以减小寄生电感。
• ‌接地布局‌：使用宽铜面进行接地连接，以减小接地阻抗并提高电源完整性。
• ‌热管理‌：对于高功率应用，建议使用散热片或将TLV757P安装在具有良好散热性能的PCB上。

四、典型应用

1. 应用威廉希尔官方网站

• ‌固定输出电压威廉希尔官方网站 ‌：通过选择合适的固定输出电压版本和适当的输入/输出电容，可以轻松构建稳压电源。

2. 设计参数

• ‌输入电压‌：根据应用需求选择合适的输入电压范围。
• ‌输出电压‌：选择满足应用需求的固定输出电压版本。
• ‌负载电流‌：最大可达1A，根据应用需求选择合适的负载电流。
• ‌电容值‌：根据TLV757P的推荐值选择输入和输出电容。

五、包装与订购信息

1. 封装类型

• ‌ SOT-23（DYD） ‌：尺寸为2.9mm × 1.6mm，提供热焊盘以提高散热性能。
• ‌其他封装‌：还提供SON和SOT-23（5）封装选项。

2. 订购信息

• ‌产品型号‌：TLV757P，提供多种固定输出电压版本和封装选项。

六、支持与资源

1. 开发支持

• ‌评估板‌：可能提供TLV757P的评估板，方便用户进行威廉希尔官方网站 测试和验证。
• ‌参考设计‌：提供相关的参考设计指南和威廉希尔官方网站 图，帮助用户快速上手。

2. 文档支持

• ‌数据表‌：提供TLV757P的详细数据表，包含电气特性、封装信息等。
• ‌应用笔记‌：可能提供关于TLV757P的应用笔记，帮助用户解决设计中的问题。

3. 社区支持

• ‌TI E2E支持william hill官网 ‌：提供工程师之间的交流和帮助平台，用户可以在此获取设计建议和解答问题。