数据手册#TPS782系列 150mA、nano-IQ、低压差稳压器，使能范围为 -40°C 至 +125°C

TPS782 系列低压差稳压器 （LDO） 具有以下优势 超低功耗和小型化封装。

该 LDO 专为具有超低 静态电流是一个关键参数。TPS782 具有超低 I Q （500 nA），非常适合微处理器、微控制器和其他电池供电 应用。

超低功耗和小型化封装使设计人员能够定制电源 特定应用程序的消耗。
*附件：TPS782 500nA IQ、150mA、超低静态电流低压差线性稳压器数据表.pdf

TPS782 系列旨在与 TI 兼容 MSP430 系列 和其他类似产品。使能引脚 （EN） 与标准 CMOS 逻辑兼容。此设备 由于小型化封装和潜在的小输出，允许最小的威廉希尔官方网站 板空间 电容器。TPS782 系列还具有热关断和电流限制功能，以保护器件 在故障情况下。所有封装的工作温度范围均为 T J = –40°C 至 125°C。

对于需要双电平电压选项的高性能应用，请考虑 TPS780 系列 系列，带有 IQ500 nA 和动态电压缩放。

特性

• 低 I Q ：500 毫安
• 150mA 低压差稳压器
• 输入电压范围：2.2 V 至 5.5 V
• 25°C 时低压差，150mA 时为 130mV
• 85°C 时低压差，150 mA 时为 175 mV
• 负载、线路和温度范围内 3% 的精度
• 采用 1.0μF 陶瓷电容器时保持稳定
• 热关断和过流保护
• CMOS 逻辑电平兼容使能引脚
• 采用 DDC （TSOT23-5） 或 DRV
  （2mm x 2mm SON-6） 封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：TPS782
• ‌特性‌：超低静态电流（500nA IQ），150mA低压差线性稳压器（LDO）
• ‌应用‌：适用于电池供电的应用，如TI MSP430微处理器、微控制器、无线手持设备等

2. 主要特性

• ‌输入电压范围‌：2.2V至5.5V
• ‌输出电压范围‌：1.8V至4.2V（可调）
• ‌静态电流‌：500nA（典型值）
• ‌低压差电压‌：
  • 25°C时，130mV @ 150mA
  • 85°C时，175mV @ 150mA
• ‌温度范围‌：-40°C至125°C
• ‌封装‌：DDC（TSOT23-5）或DRV（2mm x 2mm SON-6）

3. 电气特性

• ‌输出电压精度‌：±2%（典型值），±3%（最大值）
• ‌负载调整率‌：±2%
• ‌线性调整率‌：±1%
• ‌输出噪声电压‌：108μV RMS（BW = 100Hz至100kHz，VOUT = 2.7V，IOUT = 1mA）
• ‌ 电源抑制比（PSRR） ‌：
  • f = 10Hz时，40dB
  • f = 100Hz时，20dB
  • f = 1kHz时，15dB

4. 引脚功能

• ‌IN‌：输入电压引脚
• ‌GND‌：地引脚
• ‌EN‌：使能引脚，CMOS逻辑电平兼容
• ‌OUT‌：稳压输出引脚
• ‌NC‌（仅在DDC封装中）：无连接引脚
• ‌Thermal Pad‌（仅在DRV封装中）：热焊盘，需连接到地

5. 保护功能

• ‌内部电流限制‌：保护稳压器在故障条件下
• ‌热关断‌：防止过热损坏
• ‌过流保护‌：限制输出电流

6. 应用信息

• ‌启动时间‌：典型值为500μs
• ‌关断时间‌：典型值为500μs
• ‌输出电容‌：稳定操作需≥1.0μF的陶瓷电容
• ‌输入电容‌：推荐0.1μF至1.0μF的低ESR电容，以改善瞬态响应和噪声抑制

7. 封装与尺寸

• ‌ DDC封装（TSOT23-5） ‌：2.90mm x 1.60mm
• ‌ DRV封装（2mm x 2mm SON-6） ‌：2.00mm x 2.00mm

8. 散热与功率耗散

• ‌热阻‌：
  • DRV封装：RθJA = 65.9°C/W
  • DDC封装：RθJA = 193.0°C/W
• ‌功率耗散‌：受输入电压、输出电流和结温限制，需根据实际应用计算

9. 设备功能模式

• ‌正常模式‌：输入电压大于输出电压加压差电压，使能电压高于阈值，输出电流小于限制值
• ‌压差模式‌：输入电压低于输出电压加压差电压，但其他条件满足正常模式
• ‌禁用模式‌：使能电压低于阈值或结温高于热关断温度