ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，5GHz至20GHz技术手册

概述
ADL8105是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成威廉希尔官方网站 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为5 GHz至20 GHz。

在12 GHz至17 GHz范围内，ADL8105提供27 dB典型增益、1.8 dB典型噪声系数和30.5 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(P SAT )，采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA。可通过牺牲OIP3和输出功率(P OUT )来降低功耗。ADL8105还具有内部匹配50 Ω的输入和输出。RFIN和RFOUT引脚均内部交流耦合，同时集成了偏置电感，使其非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。

ADL8105采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。
数据表：*附件：ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，5GHz至20GHz技术手册.pdf

应用

• 电信
• 卫星通信
• 军用雷达
• 气象雷达
• 电子战
• 仪器仪表

特性

• 单正电源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，12 GHz至17 GHz时）
• OP1dB：18 dB（典型值，12 GHz至17 GHz时）
• OIP3：30.5 dBm（典型值，12 GHz至17 GHz时）
• 噪声系数：1.8 dB（典型值，12 GHz至17 GHz时）
• 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装

框图

引脚配置

接口示意图

ADL8105具有交流耦合的单端输入和输出端口，在5 GHz至20 GHz频率范围内，其阻抗标称值等于50ω。不需要外部匹配元件。要调整lDo，请在RBlAS和VDD引脚之间连接一个外部电阻。图73显示了简化框图。

ADL8105在指定频率范围内工作的基本连接如图74所示。不需要外部偏置导体，允许将5 V电源连接到VDD引脚。建议使用0.01 uF和100电源去耦电容。图74所示的电源去耦电容代表用于表征和验证ADL8105的配置。