电源IC与MOS管选定后，选择合适的驱动威廉希尔官方网站 很关键

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的威廉希尔官方网站 。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动威廉希尔官方网站 。

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的威廉希尔官方网站 也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动威廉希尔官方网站 ，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动威廉希尔官方网站 来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动威廉希尔官方网站 有以下几点要求：

1. 开关管开通瞬时，驱动威廉希尔官方网站 应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

2. 开关导通期间驱动威廉希尔官方网站 能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

3. 关断瞬间驱动威廉希尔官方网站 能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

4. 驱动威廉希尔官方网站 结构简单可靠、损耗小。

5. 根据情况施加隔离。

下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动威廉希尔官方网站 。

一、电源IC直接驱动MOSFET

图1 IC直接驱动MOSFET

电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。

二、电源IC驱动能力不足时

如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动威廉希尔官方网站 上增强驱动能力，常使用图腾柱威廉希尔官方网站 增加电源IC驱动能力，其威廉希尔官方网站 如图 2虚线框所示。

图2 图腾柱驱动MOS

这种驱动威廉希尔官方网站 作用在于，提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

三、驱动威廉希尔官方网站 加速MOS管关断时间

图3 加速MOS关断

关断瞬间驱动威廉希尔官方网站 能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图3所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

图4 改进型加速MOS关断

在第二点介绍的图腾柱威廉希尔官方网站 也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时，对图2中威廉希尔官方网站 改进可以加速MOS管关断时间，得到如图4所示威廉希尔官方网站 。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。与图3拓扑相比较，还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。

四、驱动威廉希尔官方网站 加速MOS管关断时间

图5 隔离驱动

为了满足如图5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。

小结：

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