CSD86356Q5D 25V、N 通道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET，SON 5mm x 6mm电源块数据手册

CSD86356Q5D NexFET™ 电源块是针对同步降压应用的优化设计，可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高电流、高效率和高频功能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，提供了一种灵活的解决方案，当与来自外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动器配对时，能够提供高密度电源。
*附件：CSD86356Q5D 同步降压 NexFET 电源块数据表.pdf

特性

• 半桥电源块
• 25 A 时系统效率为 93.0%
• 高达 40A 的运行电流
• 高频作（高达 1.5 MHz）
• 高密度 SON 5mm × 6mm 基底面
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅端子电镀

参数

方框图

1. 概述

CSD86356Q5D 是一款同步降压 NexFET™ 电源块，专为高性能计算系统和高频应用设计，提供高电流、高效率和高频率的同步降压转换功能。

2. 主要特性

2.1 性能参数

• ‌系统效率‌：在25A输出电流下达到93.0%的系统效率。
• ‌最大操作电流‌：高达40A。
• ‌高频操作‌：支持高达1.5MHz的开关频率。
• ‌封装‌：采用高密度的5mm x 6mm SON封装。

2.2 电气特性

• ‌ 控制FET（Q1） ‌：具有低反向恢复时间和低栅极电荷。
• ‌ 同步FET（Q2） ‌：具有低栅极电荷和低导通电阻。
• ‌热性能‌：提供详细的热信息和功率损耗曲线，支持高温操作。

2.3 应用范围

• ‌同步降压转换器‌：适用于高频应用和高电流、低占空比应用。
• ‌多相同步降压转换器‌：提高电源转换效率和可靠性。
• ‌POL DC-DC转换器‌：为处理器和其他高性能组件提供稳定电源。

3. 应用信息

3.1 等效系统性能

CSD86356Q5D 通过优化功率半导体和封装技术，提供超越传统MOSFET芯片组的性能。系统级性能曲线（如功率损耗、安全操作区域SOA）和归一化图表帮助工程师预测产品在实际应用中的性能。

3.2 功率损耗曲线

提供详细的功率损耗曲线，帮助工程师在设计过程中简化计算。曲线包括负载电流、输入电压、输出电压、开关频率和输出电感对功率损耗的影响。

3.3 安全操作区域（SOA）曲线

SOA曲线提供了关于操作系统温度边界的指导，通过结合热阻和系统功率损耗，确保在给定负载电流下的安全操作。

4. 典型应用

提供设计示例，包括如何计算功率损耗和SOA调整，以及推荐的威廉希尔官方网站 图和PCB设计概述。

5. PCB设计指南

5.1 电气性能

• ‌输入电容器放置‌：应尽可能靠近VIN和PGND引脚，以最小化节点长度。
• ‌驱动IC放置‌：应相对靠近电源块的栅极引脚，以减少信号路径长度。
• ‌输出电感放置‌：应相对靠近电源块的VSW引脚，以减少PCB传导损耗和开关噪声。

5.2 热性能

• ‌热通孔使用‌：通过热通孔将热量从器件传递到系统板，以提高热性能。
• ‌焊料空洞和可制造性问题‌：通过适当的焊盘设计、通孔填充和遮蔽策略来最小化这些问题。

6. 封装与可订购信息

提供详细的封装尺寸、引脚配置、焊盘推荐和模板设计指南，以及可订购部件号和包装信息。

7. 注意事项

• ‌静电放电（ESD）警告‌：在处理CSD86356Q5D时，应遵循适当的静电放电预防措施。
• ‌文档更新通知‌：用户可以通过注册接收有关文档更新的通知。
• ‌社区资源‌：提供访问TI社区资源的链接，以获取技术支持和与其他用户交流。