CSD22206W -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、栅极ESD保护数据手册

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以尽可能小的外形提供最低的导通电阻和栅极电荷，并在超薄外形中具有出色的热特性。低导通电阻、小尺寸和扁平外形使该器件成为电池供电空间受限应用的理想选择。
*附件：CSD22206W –8V P 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 超低电阻
• 小尺寸 1.5 mm × 1.5 mm
• 无铅
• 栅极 ESD 保护
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 栅极-源极电压箝位

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌超低电阻‌：在V_GS = -4.5V时，导通电阻（R_DS(on)）仅为4.7 mΩ，适用于需要高效率的功率转换应用。
• ‌小尺寸‌：采用1.5 mm × 1.5 mm的Wafer BGA封装，占用空间小。
• ‌无铅与环保‌：符合RoHS标准，且不含卤素，环保友好。
• ‌栅极保护‌：内置栅极ESD保护和栅极-源极电压钳位功能，提高器件可靠性。
• ‌优异热特性‌：具有良好的热管理特性，适合高功率密度应用。

2. 应用领域

• ‌负载开关‌：适用于需要快速响应和低电阻路径的负载控制应用。
• ‌电池管理‌：在电池供电系统中，用于电池的充放电控制和保护。
• ‌电池保护‌：防止电池过充、过放，延长电池使用寿命。

3. 产品描述

CSD22206W是一款-8V、4.7 mΩ、1.5 mm × 1.5 mm Wafer BGA封装的NexFET™功率MOSFET。它专为提供超低导通电阻和栅极电荷而设计，同时保持小尺寸和低剖面，非常适合电池供电且空间受限的应用。

4. 电气特性

• ‌静态特性‌：包括漏源电压（V_DS）、栅源阈值电压（V_GS(th)）、漏源泄漏电流（I_DSS）等参数。
• ‌动态特性‌：涵盖输入电容（C_ISS）、输出电容（C_OSS）、栅极电荷（Q_g）等，影响开关速度和效率。
• ‌二极管特性‌：包括二极管正向电压（V_SD）和反向恢复电荷（Q_rr），对整流和续流应用至关重要。

5. 热信息

• ‌热阻‌：提供了结到环境的热阻（R_θJA）信息，帮助设计有效的散热系统。

6. 机械、包装和订购信息

• ‌封装尺寸‌：详细列出了CSD22206W的封装尺寸和引脚配置。
• ‌推荐焊盘布局‌：提供了推荐的焊盘图案，以确保良好的焊接连接。
• ‌订购选项‌：包括可订购的设备型号、封装类型、每卷数量及环保合规性等信息。

7. 文档和支持

• ‌文档更新通知‌：用户可通过TI官网注册接收产品文档的更新通知。
• ‌社区资源‌：提供了TI的E2E在线社区链接，方便用户与其他工程师交流和学习。
• ‌商标和静电放电警告‌：指出了NexFET™是TI的商标，并提醒用户注意静电放电保护。