LDMOS晶体管为CMOS器件,用于高频和高功率的应用。这些器件广泛应用于RF功率放大器应用,例如GSM和CDMA移动电话基站、雷达、CATV和便携式无线设备。这些器件在工作时由于热载流子注射效应而在漏一栅区域聚集电荷,导致在施加固定栅极偏置电压(VGS)时,其静态电流(IDQ)会随温度变化而产生显著漂移。
为保持具有最大输出功率同时具有良好的线性度,需要在整个工作温度范围内保持IDQ处于恒定值。为达到此目标,栅极偏置电压需要在工作时进行调整,以补偿温度变化产生的影响。
对于基站功放模块(power amplifier module,PAM)应用,工程师通常在威廉希尔官方网站 中选用模数转换器( Digital-to-Analog Converter,DAC)来实现偏置电压控制。在实际应用中,偏置电压控制威廉希尔官方网站 使IDQ稳定在+4%变化范围内。本应用笔记介绍了如何使用模数转换器来实现偏置电压控制。
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