SnO2-Ag-SnO2 结构元件室温下对H2S的敏感特性研究
以SnCl4 和O2 为源物质,采用等离子增强化学气相沉积( PECVD) 和浸渍法掺Ag 技术制备了SnO2-Ag2SnO2 结构薄膜,在20 ℃下该结构薄膜对H2S具有良好的气敏特性,即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
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