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如何使用离散塑料封装SMT晶体管的5W X波段GaN功率放大器的资料概述

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:1.12 MB | 2018-07-25

凤毛麟角

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　　本文介绍了采用低成本SMT封装晶体管的单级5W X波段GaN功率放大器的设计。放大器被优化为9.3至95GHz频段，具有11dB的小信号增益，在3dB增益压缩下提供大于+37 dBm的输出功率，其相应的漏极效率大于55%。该设计是基于商业上可获得的离散0.25μm的GaN晶体管，安装在过模制SMT塑料封装上安装在罗杰斯4003 PCB上。快漏开关威廉希尔官方网站 也包括在同一威廉希尔官方网站 板上，便于脉冲操作，导通时间仅为20nS。离散GaN晶体管可从Qorvo作为TGF977 SM。

　　氮化镓（GaN）分立晶体管适用于微波频率的操作，现在可从多个厂商获得商业应用。GaN晶体管的较高击穿电压和最大结温度使它们非常适合高功率放大器的实现。

　　大多数商业上可用的用于X波段操作的GaN晶体管被提供为裸芯片或陶瓷封装。在低成本超塑形SMT塑料封装中提供这种分立器件的能力具有大大简化处理和组装的优点，并提供了显著降低产品成本的优点。

　　在SMT封装的微波功率晶体管的开发中存在明显的挑战：必须找到避免过量RF性能退化的组装方法，热性能必须足够，组装必须非常重复，以提供部分性能的一致部分。需要精确的设备模型来解释

　　包装件的性能。这表明，在X波段从这样的SMT封装部分，即从上面的QoVo的TGF977 SM可以实现优异的性能。

　　TGF977SM是1.26毫米栅宽的0.25μm氮化镓器件，装在过模塑塑料封装中，仅测量3mm×3mm。该封装包含一个坚实的铜基地，以确保良好的热和电接触到PCB地面。


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