IC layout布局经验总结,IC layout Experience

布局时注意:
10 更改原理图后一定记得check and save
11 完成每个cell后要归原点
12 DEVICE的 个数 是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线 必须 先有考虑(与经验及floorplan的水平有关).
13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来。
14 尽量用最上层金属接出PIN。
15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.
16 金属连线不宜过长；
17 电容一般最后画，在空档处拼凑。
18 小尺寸的mos管孔可以少打一点.
19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。
20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小.
21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联.
22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。
23 栅上的孔最好打在栅的中间位置.
24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅.
25 一般打孔最少打两个
26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值.
27 薄氧化层是否有对应的植入层
28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.
29 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度
30 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。
31 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去。
32 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造.
33 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接;数模信号的电源线/地线分开。
34 Pad的pass窗口的尺寸画成整数90um.
35 连接Esd威廉希尔官方网站 的线不能断，如果改变走向不要换金属层
36 Esd威廉希尔官方网站 中无VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB.
37 PAD和ESD最好使用M1连接，宽度不小于20um;使用M2连接时,pad上不用打VIA孔,在ESD威廉希尔官方网站 上打。
38 PAD与芯片内部cell的连线要从ESD威廉希尔官方网站 上接过去。
39 Esd威廉希尔官方网站 的SOURCE放两边，DRAIN放中间。
40 ESD的D端的孔到poly的间距为4,S端到poly的间距为^+0.2.防止大电流从D端进来时影响poly.
41 ESD的pmos管与其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上。
42 大尺寸的pmos/nmos与其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的间距不够70um时,但最好不要小于50um,中间加NWELL,打上NTAP.
43 NWELL和PTAP的隔离效果有什么不同?NWELL较深,效果较好.
44 只有esd威廉希尔官方网站 中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判断ESD威廉希尔官方网站 ？上拉P管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二极管的作用.
45 摆放ESD时nmos摆在最外缘,pmos在内.
46 关于匹配威廉希尔官方网站 ，放大威廉希尔官方网站 不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。
   21为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置）21中心匹配最佳。
47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.
48 在匹配威廉希尔官方网站 的mos管左右画上dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距.
49 电阻的匹配，例如1，2两电阻需要匹配，仍是1221等方法。电阻dummy两头接地vssx。