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CMOS图像传感器的原理参数和CCD图像传感器有什么区别等资料概述
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一、 CMOS图像传感器的发展历史
上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念：
互补金属氧化物半导体图像传感器
CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor
CIS—— CMOS Image Sensor
电荷耦合器件图像传感器 （CCD）
CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步，固体图像传感器得到了迅速发展。
CMOS图像传感器：
由于受当时工艺水平的限制， 图像质量差、分辨率低、噪声降不下来，因而没有得到重视和发展。
CCD图像传感 器：
光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点
一直主宰着图像传感器市场。
由于集成威廉希尔官方网站 威廉希尔官方网站 和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。
二、 CMOS图像传感器的结构
主动式像敏单元结构：
当复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。
场效应管V2：源极跟随放大器，进行电流放大，
场效应管V3构成模拟开关，积分结束后，V3管导通，信号输出。
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