基于AVR单片机中的EEPROM和FLASH的区别及使用方法解析

1.EEPROM介绍

Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器

发展过程：ROM – 》 PROM –》 EPROM –》 EEPROM

2.EEPROM和FLASH的区别

2.1 使用上的区别

FLASH用于存放程序，在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到FLASH中的；

RAM用作程序运行时的数据存储器；

EEPROM用于存放数据，是用来保存掉电后用户不希望丢的数据，开机时用到的参数。运行过程中可以改变。

FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次，而且通常FLASH只能按块擦除。EEPROM不能用来存程序，通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次，而且可以按字节擦写。EEPROM在一个PAGE内是可以任意写的，FLSAH则必须先擦除成BLANK，然后再写入，而一般没有单字节擦除的功能，至少一个扇区擦除。

2.2 结构上的区别

EEPROM和FLASH都是非易失性存储器。

FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。

FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的威廉希尔官方网站 结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。

3.EEPROM的使用方法

AVRGCC里面自带有EEPROM读写函数。

使用时需包含头文件#include ，部分读写函数如下：

#define eeprom_is_ready（） bit_is_clear（EECR， EEWE）//检测EEPROM是否准备好。OK返回1（返回EEWE位）

#define eeprom_busy_wait（） do {} while （！eeprom_is_ready（））//等待EEPROM操作完成

extern uint8_t eeprom_read_byte （const uint8_t *addr）;//读取指定地址的一个字节8bit的EEPROM数据

extern uint16_t eeprom_read_word （const uint16_t *addr）;//读取指定地址的一个字16bit的EEPROM数据

extern void eeprom_read_block （void *buf， const void *addr， size_t n）;//读取由指定地址开始的指定长度的EEPROM数据

extern void eeprom_write_byte （uint8_t *addr， uint8_t val）;//向指定地址写入一个字节8bit的EEPROM数据

extern void eeprom_write_word （uint16_t *addr， uint16_t val）;//向指定地址写入一个字16bit的EEPROM数据

通过串口向单片机发送配置命令，单片机收到指令后，利用函数write_EEPROM_config（）将相应的配置信息存放于EEPROM中。系统初始化时，利用函数read_EEPROM_config（）从EEPROM中取出相应的数据，用于系统的初始化。