分享nandflash排雷攻略

在Nandflash广泛应用的今天，其高性价比和极大烧录不良率几乎时刻共存，那么 Nandflash究竟有何特性导致其频发烧录事故？今天就和大家分享nandflash排雷攻略。

Nandflash芯片以其高性价比，大存储容量在电子产品中广泛应用。但是，在此量大质优的应用领域，很多客户却痛苦于批量质量问题：专用工具无法满足量产，量产工具却可能出现极大的不良品率，那么究竟要如何解决呢？

其根本原因在于：目前大部分用户并不是很了解Nandflash烧录的复杂性。

用户常采用很直接的方法，即用一颗能正常运行的NandFlash芯片作为母片，在连接编程器之后，点击烧录软件上的“读取”按钮，把数据从芯片里面完整读取出来，再找几颗空芯片，把数据重复写进去。本以为可达到量产的目的，但实际上生产出来的产品却达不到品质的要求，往往会出现批量的产品异常开机或启动的状况！

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原因分析

原因究竟在哪里呢，在分析之前，那就先得了解一下Nandflash基本的工艺特性：

首先，我们来看NandFlash存储结构，它由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，每个Page又包含主区(Main Area)和备用区(Spare Area)两个域。其次NandFlash是有坏块的，由于NandFlash的工艺不能保证Nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠。

因此在Nand的生产中及使用过程中会产生坏块的。

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坏块的影响

因为坏块影响了数据的存放地址，用户就不能按常用方法那样，把母片的数据全部读取出来，然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上了，也就产生了传统拷贝机无法量产Nandflash的问题！

既然NandFlash有坏块是无法避免的问题，那就要想办法避开那些坏块；最简单、最有效、最常用的方法就是：跳过！

使用“跳过坏块”，我们很好地解决了NandFlash的坏块问题，原本写到坏块的数据，我们也安全转移到下一个块里面！

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地址变化

跳过是一种常用而有效的方法，但是实际上，根本问题还依然存在，细心的人会发现，数据存放的地址也发生了变化！

实际应用中，很多用户会把多个文件数据同时存储到NandFlash上(比如uboot、uImage、Logo、rootfs等烧录文件），并给每个文件在NandFlash存储单元中划分了一定大小的存储空间区域，指定了每个文件存储的起始物理地址块；如果某个区域出现了坏块，为了避开它，势必需要把数据安全往下一块转移，而引起的后果就是后续烧录文件的起始物理地址也随着发生了偏移，这将会导致主控MCU无法通过固定的地址，准确、完整地获取到每个文件的数据，最终造成的结果就是产品异常启动。

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解决建议

解决建议：分区烧录

分区烧录，用户提前设置好每个文件烧录的起始块地址，无论坏块出现在哪个空间区域，都可以确保每个文件起始块地址都不会发生偏移变化，数据也将根据客户预设方案存放在NandFlash存储区域内，主控MCU也能准确完整读取到每个文件的数据，那么产品就正常跑起来了！

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解决方案参考

ZLG立功科技·致远电子的P800系列编程器支持按分区烧录(并可支持多种分区格式)，可按照每个用户方案需求，设置每个文件的起始块地址和烧录块长度，即可达到高效率烧录，又可提高芯片烧录良品率！

同时，P800系列搭载独立操作系统，还可满足工厂全脱机，一键批量的烧录要求。