4406和4435双桥原理图；场效应管到达雪崩电流会怎么样？

4406双桥原理图如下：

4435双桥原理图如下：

场效应管到达雪崩电流会怎么样？

漏极电压持续升高，则漏极体二极管由于雪崩倍增产生载流子，而进入持续导通模式,此时，全部的漏极电流（此时即雪崩电流）流过体二极管，而沟道电流为零。

在开关管雪崩击穿过程中，能量集中在功率器件各耗散层和沟道中，在寄生三极管激活导通发生二次击穿时，MOSFET会伴随急剧的发热现象，这是能量释放的表现。

雪崩电流在功率MOS管的数据表中表示为IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在测试过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，也就是功率MOS管开通的时间增加，然后关断，直到功率MOSFET损坏，对应的最大电流值就是最大的雪崩电流。

　　标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理，因此它是一个可以保证的参数。一些功率MOS管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测，由于有降额，因此不会损坏器件。

　　留意：测量雪崩能量时，功率MOS管工作在UIS非钳位开关状态下，因此功率MOSFET不是工作在放大区，而是工作在可变电阻区和截止区。因此最大的雪崩电流IAV通常小于最大的连续的漏极电流值ID。

　　采用的电感值越大，雪崩电流值越小，但雪崩能量越大，生产线上需要测试时间越长，生产率越低。电感值太小，雪崩能量越小。目前低压的功率MOS管通常取0.1mH，此时，雪崩电流相对于最大的连续的漏极电流值ID有明显的改变，而且测试时间比较合适范围。