ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM

    Integrated Silicon Solution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDR DRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域，如网络和通信设备、HDTV、LCD TV、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。
    
     IS43R32400A采用144引脚FBGA封装，工作温度为0℃～70℃，购买一万片以上单价是每片4.5美元。现在可以提供样品，批量生产交货需要到2006年第二季度。