理解功率MOSFET的开关过程

（1）截止区

开通前MOSFET起始工作点位于图3的右下角A点以下，AOT460的VDD电压为48V，VGS的电压逐渐升高，ID电流为0，VGS的电压从0上升到VTH，ID电流从0开始逐渐增大。

（2）动态恒流区（线性区）

动态恒流区（线性区）就是图中的A-B，也就是VGS电压从VTH增加到米勒平台电压VGS(pl)的区间，从这个过程可以非常直观的发现：MOSFET工作在恒流区，因为VGS的电压在变化，这个过程是一个动态恒流的过程，也就是VGS电压和ID电流自动找平衡的动态过程。VGS电压的变化伴随着ID电流相应的变化，其变化关系就是MOSFET的跨导gfs：

gfs = DID / DVGS

跨导gfs可以在MOSFET数据表中查到。

在这个过程中，VDS电压保持不变（A-B垂直横轴），VGD的电压为VGS-VDS，为负压，就是D的电压高于G。当ID电流达到负载的最大允许电流ID(max)时，也就是图3中的B点，MOSFET进入下一个工作区：米勒平台区。

（3）米勒平台区

从B点开始，VDS开始下降，VGD负电压绝对值也开始下降，只要D极电压开始变化，就会产生非常大的dv/dt，通过电容Crss，产生的电流为：

iCrss = Crss×dv/dt

这个电流足够大，可以将驱动威廉希尔官方网站 能够提供的电流都抽取过去，驱动威廉希尔官方网站 的电流几乎全部流过Crss（CGD），以扫除Crss电容（米勒电容）存储的电荷，这样CGD电容几乎没有电流流过，栅极电压也就基本维持不变，可以看到VGS在一段时间B-C内维持一个平台电压，，这就是米勒平台区。

在这个工作区，栅级对应的米勒平台电压，由系统的最大电流ID(max)和MOSFET的VTH、跨导来决定，满足上面的公式。

随着VDS电压不断的降低，VGD的电压绝对值也不断的降低，在B-C的中间某一时刻，VGD的电压由负变为0，然后开始正向增加。当VDS电压降低到最低值时，米勒电容的电荷基本上被全部扫除，即图3中的C点，VDS的电压不再变化，而且Crss电压也正向增加到米勒平台电压。

从图3可以看到，在米勒平台区，VGS电压不是绝对的保持不变，而是应该有非常小、非常小的上升幅度，这样的幅度可以忽略，因此基本上认定其电压保持不变，MOSFET在一段稳定的时间内，处于相对稳定的恒流区，工作于放大状态。即

（4）可变电阻区

图3中C-D区为可变电阻区，此时CGS、CGD电压相等都为米勒平台电压，VDS电压不再变化，即：D极电压基本上保持恒定不变，那么CGD就不再有dv/dt产生的抽取电流，因此驱动威廉希尔官方网站 又开始同时对CGS+CGD充电，VGS电压从米勒平台电压开始增加，直到达到驱动电压的最大值。这个过程中，MOSFET导通压降稍有降低，降低到最小值，基本上变化不大，导通压降为ID的电流和导通电阻的乘积，这也是完全导通区。

基于MOSFET的漏极导通特性曲线可以直观的理解MOSFET开通时，跨越关断区、恒流区（放大区）和可变电阻区的过程。恒流区有动态恒流区、一段稳定时间的米勒平台恒流区，此时MOSFET均工作于放大状态，这也可以理解：MOSFET在开关过程中，跨越恒流区（放大区），是MOSFET产生开关损耗的直接原因。

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