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作者简介
作者：（美国）格雷（Paul R.Gray） （美国）Paul J.Hurst （美国）Stephen H.Lewis 等 译者：张晓林
目录
第一章 集成威廉希尔官方网站
放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn结的耗尽区
1.2.1 势垒电容
1.2.2 结击穿
1.3 双极型晶体管的大信号特性
1.3.1 正向放大区的大信号模型
1.3.2 集电极电压对正向放大区大信号特性的影响
1.3.3 饱和区和反向放大区
1.3.4 晶体管击穿电压
1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益
1.4 双极型晶体管的小信号模型
1.4.1 跨导
1.4.2 基区寄生电容
1.4.3 输入电阻
1.4.4 输出电阻
1.4.5 双极型晶体的基本小信号模型
1.4.6 集电极－－基极电阻
1.4.7 小信号模型的寄生单元
1.7.8 晶体管频率呼应特性
1.5 金属氧化物效晶体管的大信号特性
1.5.1 MOS器件的转移特性
······
下载链接：
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的分析与设计].Analysis.and.Design.of.Analog.Integrated.Circuits.(Gr.pdf
(41.88 MB)
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