ARM335X DDR 布线请教

请问 在ti 给出的  EVM 参考设计中 DDR 的走线都串入一个22欧姆的电阻，按照SI 的理论这个电阻是保证匹配减少过冲的，在POWER PC 及MIPS 架构的CPU  DDR布线中不需要增加这个电阻 ，请问这个电阻在TI  ARM 的CPU 中一定需要吗？