使用Arduino驱动P沟道MOSFET，无法获得所需的性能（低引脚，MOSFET导通）

在通孔板上建立威廉希尔官方网站 数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。
对我来说非常重要的是，当Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与威廉希尔官方网站 无关），这是为Arduino本身提供电流。
由于这个限制，这样的威廉希尔官方网站 ：

当arduino输入为低电平时，将关闭MOSFET。（根据我的理解）我试图使用HIGH侧的N-MOSFET向栅极提供电压，请参见此屏幕截图（不使用正确的威廉希尔官方网站 软件道歉）：

尽管N-MOSFET显示为饱和，但只有3.32V接通其源极，不足以完全触发P-MOSFET的栅极。
我对电子学的简短了解已被打败，因为我无法绕过这个。鉴于栅极电压很高，N-MOSFET将在其源极上施加全漏极电压对我来说是合理的。