完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
|
在启动期间，由于反向恢复dv/dt，零电压开关运行可能会丢失并且MOSFET可能发生故障。
在启动之前谐振电容和输出电容完全放电。这些空电容导致Q2体二极管进一步导通并且在Q1导通前不会完全恢复。反向恢复电流非常高并且在启动期间足以造成直通问题，如图4所示图4： 启动期间LLC 谐振转换器中的波形。 图4： 启动期间LLC 谐振转换器中的波形 
0
|
|
相关推荐
4个回答
|
|
|
|
|
|
|
|
|
在输出短路期间MOSFET通过极高的电流。当发生输出短路时，Lm在谐振中被分流。LLC 谐振转换器可由 Cr 和 Lr简化为串联谐振回路，因为Cr仅与Lr共振。这种状况通常会导致零电流开关运行（电容模式）。零电流开关运行最严重的缺陷是导通时的硬式整流，可能导致二极管反向恢复应力（dv/dt） 和巨大的电流和电压应力，如图5所示。另外，由于体二极管反向恢复期间的高 di/dt 和 dv/dt，该器件还可能被栅极过压应力破坏。 LLC谐振转换器中怎样做才不会出现MOSFET故障 
图5：输出短路期间LLC 谐振转换器中的波形 |
|
|
|
|
|
启动期间，推荐用于故障模式的解决方案是：
采用快速恢复MOSFET 增大导通电阻以减小反向恢复di/dt和dv/dt、体二极管反向电流（Irm） 和峰值电压Vgs，如图6所示 增加最小开关频率以防止电容模式 在发生输出短路后尽快减少 Vgs关断延迟 减小过流保护电流 图6：反向恢复期间的导通栅极电阻效应 图 7.：FRFET （FCH072N60F）和 一般 MOSFET （FCH072N60） 之间的反向恢复特性比较 将一般MOSFET替换为快速恢复MOSFET （FRFET？ MOSFET） 非常简单有效，原因是不需要额外威廉希尔官方网站 或器件。图7显示与一般 MOSFET相比， FRFET MOSFET 在反向恢复特性方面的改进。与一般MOSFET （FCH072N60） 相比，FRFET MOSFET （FCH072N60F）的反向恢复电荷减少了90% 。FRFET MOSFET体二极管的耐用性比一般MOSFET好得多。此外，在反向恢复期间若高侧MOSFET从FRFET变为一般 MOSFET，低侧MOSFET的峰值栅源极电压从54V降为26 V。由于改进了这么多特性 ，FRFET MOSFET在LLC谐振半桥转换器中提供更高的可靠性 。 |
|
|
|
|
|
经验之谈 学习了
|
|
|
|
|
你正在撰写答案
如果你是对答案或其他答案精选点评或询问，请使用“评论”功能。
/5 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （威廉希尔官方网站 图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
2630
评论
淘帖
1341
