符合JEDEC标准的两款终端稳压器BD3539FVM和BD3539NUX

全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了两款符合JEDEC对DDR1-SDRAM，DDR2-SDRAM和DDR3-SDRAM要求的终端稳压器——BD3539FVM和BD3539NUX。该芯片内置N沟道MOSFET和专门设计的高速运算放大器可以提供出色的瞬态响应。这两款芯片具有高的电流输出能力，可以提供最高1A的输出电流。它们能够满足3.3V（对于DDR2和DDR3）和5.0 V（对于DDR1，DDR2和DDR3）的电源偏置要求，可以用于驱动N沟道MOSFET。

BD3539FVM和BD3539NUX通过采用独立的参考电压输入（VDDQ）和反馈引脚（VTTS），可以提供出色的输出电压精度和JEDEC标准要求的负载调节。这两款芯片还具有DDR-SDRAM或内存控制器的参考电源输出（VREF）。它们内部集成了丰富的功能威廉希尔官方网站，包括用于终端的推挽式电源（VTT）、使能器、欠压锁定威廉希尔官方网站（UVLO）、热关断保护器（TSD）等。这两款芯片均兼容双通道（DDR1，DDR2，DDR3），输出端可使用陶瓷电容器。

BD3539FVM和BD3539NUX的终端输入电压范围为1.0V至5.5V，VCC输入电压范围为2.7V至5.5V，VDDQ基准电压范围为1.0V至2.75V。该芯片的输出电压典型值为1/2xVDDQ V。这两款芯片具有低导通电阻和低功耗的特点，高侧FET导通电阻和低侧FET导通电阻典型值均为0.35Ω，待机电流典型值为0.5mA。

BD3539FVM和BD3539NUX可以在-30°C至+100°C的宽工作温度范围内正常工作。它们具有MSOP8和VSON008X2030两种封装可选，实物如图1所示，引脚配置如图2所示。这两款芯片的典型应用威廉希尔官方网站如图3所示，主要应用于DDR 1/2/3-SDRAM电源。

图1：BD3539FVM和BD3539NUX实物图

图2：BD3539FVM和BD3539NUX引脚配置

图3：BD3539FVM和BD3539NUX典型应用威廉希尔官方网站

BD3539FVM和BD3539NUX终端稳压器的产品特性：
·终端输入电压范围：1.0V至5.5V
·VCC输入电压范围：2.7V至5.5V
·VDDQ基准电压范围：1.0V至2.75V
·输出电压典型值：1/2xVDDQ V
·输出电流最大值：1.0A
·高侧FET导通电阻典型值：0.35Ω
·低侧FET导通电阻典型值：0.35Ω
·待机电流典型值：0.5mA
·工作温度范围：-30°C至+100°C
·集成推挽式电源用于终端（VTT）
·集成参考电压威廉希尔官方网站（VREF）
·集成使能器
·集成欠压锁定（UVLO）
·集成热关断保护器（TSD）
·兼容双通道（DDR1，DDR2，DDR3）
·输出端可用陶瓷电容器
BD3539FVM和BD3539NUX终端稳压器的应用领域：
·DDR 1/2/3-SDRAM电源