影响薄膜质量的主要因素有：
1、基片与薄膜晶格常数的匹配度，热膨胀系数的差异度：基片与薄膜的晶格常数不同而产生的张应力，热膨胀系数不同产生的压应力会导致薄膜沉淀时裂纹的产生。
2、基片温度：基片加热有利于颗粒在膜上加速迁移，基片温度过低，颗粒在薄膜上迁移速率过低会导致颗粒聚集而导致薄膜粗糙，不均匀。而温度过高，离子迁移率过高，会导致离子比例不均匀。
3、氧压：铁氧体薄膜都是氧化物复合薄膜，所以在沉积环境的氧气压强就对薄膜质量有重要影响，例如，用脉冲激光沉积（PLD）制备YIG薄膜时，薄膜中容易因缺氧而会产生氧空位，从而影响薄膜的性能 。
4、退火温度：退火对于在基片表面获得多晶薄膜的是必须的前提条件。
为何要减小外加磁场：
传统的环形器由外加永磁体以及块状材料制备，这不适合于集成威廉希尔官方网站
技术，因此需要减小薄膜环形器的外加磁场，最好是制成自偏转环形器，当前主要是通过合适的材料选择来达到这点。
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2、基片温度：基片加热有利于颗粒在膜上加速迁移，基片温度过低，颗粒在薄膜上迁移速率过低会导致颗粒聚集而导致薄膜粗糙，不均匀。而温度过高，离子迁移率过高，会导致离子比例不均匀。
3、氧压：铁氧体薄膜都是氧化物复合薄膜，所以在沉积环境的氧气压强就对薄膜质量有重要影响，例如，用脉冲激光沉积（PLD）制备YIG薄膜时，薄膜中容易因缺氧而会产生氧空位，从而影响薄膜的性能 。
4、退火温度：退火对于在基片表面获得多晶薄膜的是必须的前提条件。
为何要减小外加磁场：
传统的环形器由外加永磁体以及块状材料制备，这不适合于集成威廉希尔官方网站
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