因其反应速度很慢（大于35nsec以上），不可以同时拿来当静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)保护组件。至于ESD事件所产生的噪声是属高频（事件长度为60nsec以内）但能量很小的噪声，所以ESD保护组件的设计必须着重于其反应速度上，唯有反应速度在10nsec以内的保护组件才有ESD防护效果。雷击保护组件的设计挑战在于要在有限的组件体积下，能宣泄最大能量的雷击噪声，而组件材料的选择会是设计重点。ESD保护组件的设计挑战则是在设计组件的快速反应速度与反应后的低导通阻抗，唯有如此才能提供低箝制电压来保护系统的正常运作，而此类组件的设计重点会是在组件结构及其所用的制程上。ESD保护组件现在则是以半导体材料与制程所制作的组件为主，因为其保护效果最佳、组件可靠度也最佳、成本也可因设计成Array式而降得很低。
因其反应速度很慢（大于35nsec以上），不可以同时拿来当静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)保护组件。至于ESD事件所产生的噪声是属高频（事件长度为60nsec以内）但能量很小的噪声，所以ESD保护组件的设计必须着重于其反应速度上，唯有反应速度在10nsec以内的保护组件才有ESD防护效果。雷击保护组件的设计挑战在于要在有限的组件体积下，能宣泄最大能量的雷击噪声，而组件材料的选择会是设计重点。ESD保护组件的设计挑战则是在设计组件的快速反应速度与反应后的低导通阻抗，唯有如此才能提供低箝制电压来保护系统的正常运作，而此类组件的设计重点会是在组件结构及其所用的制程上。ESD保护组件现在则是以半导体材料与制程所制作的组件为主，因为其保护效果最佳、组件可靠度也最佳、成本也可因设计成Array式而降得很低。
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