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氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因,GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。
过去,PA 设计以大致的起点开始并运用大量的“大师”知识来完成,使用测得的负载牵引数据可以提高PA设计的成功率,但不一定能够获得所需应用频率下的负载牵引数据。而使用精确的非线性模型可以更快地生成设计数据,关注更精确的PA 行为,并获得更好的结果。
本文中,我们将为您介绍如何利用非线性模型帮助GaN PA进行设计?
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