安森美半导体的二极管具有同类最佳的性能和可靠性
SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关，这比硅二极管大大降低了开关损耗，具有更佳的热性能，从而实现更高能效。更快的开关还支持设计人员减少磁性线圈和相关的无源器件的尺寸，从而增加功率密度，降低物料单（BOM）成本。SiC产品能稳定的开关于宽温度范围，零电压恢复消除了电压过冲也有助于SiC的高性能。
安森美半导体的SiC技术具有独特的专利终端结构，进一步加强可靠性并提升稳定性和耐用性，提供更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关（UIS）能力和最低的漏电流。安森美半导体的650 V和1200 V SiC技术结合优越的开关性能、更高可靠性和低电磁干扰（EMI），非常适合下一代电源转换应用，如太阳能逆变器、电源、电动汽车和工业自动化。其中，650 V、1200 V SiC二极管系列分别提供6 A到50 A、5 A到50 A的额定电流，都提供表面贴装和通孔封装，包括TO-247、TO-220、D2PAK、DPAK和易于以现有的威廉希尔官方网站
板制造能力整合的裸片/晶圆，且都具有零反向恢复、比同类最佳的竞争器件更低的正向电压、不受温度影响的电流稳定性、承受更高的浪涌电流和正温度系数，从而实现极佳的强固性。
例如，安森美半导体1200 V、15 A的一款SiC二极管，雪崩电流接近200 A (3500 A/cm2)，8.2 ms 脉冲可以承受158 A (>10倍 额定值) 非破坏性的浪涌电流，33 µs 脉冲可以承受740 A更高的浪涌电流，而小很多的电流将会使一个平面肖特基二极管发生故障。我们在85C/85% RH的高温度/湿度/偏置VCE=960V的测试条件下进行了对比测试，结果显示，竞争SiC器件(1200V、8A)在168小时后发生故障，而安森美半导体SiC器件(1200V, 10A)通过了1000小时的测试，可见安森美半导体的SiC二极管的可靠性更高。 表1. 安森美半导体的650 V SiC二极管 表2. 安森美半导体的1200 V SiC二极管
其中，FFSHx0120和FFSHx065是符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管，能在恶劣的电气环境中可靠地工作，为汽车应用带来能效、性能、功率密度等多方面的显著优势。 SiC MOSFET门极驱动器用于高性能的工业逆变器和电机驱动器
SiC MOSFET有独特的门极驱动要求。安森美半导体的NCP51705 是经优化的SiC MOSFET门极驱动器，具备高度的灵活性和集成度，能高效、可靠地驱动市场上任何SiC MOSFET。峰值输出电流高达6 A，正额定电压可扩展，集成负压充电泵，能提供-5 V驱动电压，可调的欠压保护(UVLO)，退饱和(DESAT)检测短路保护，过热关断保护。NCP51705支持设计人员根据需求进行调试，具有简单的BoM，无需额外的DC-DC威廉希尔官方网站
，提供负压实现快速关断，采用4 mm x 4 mm QFN24的极小封装，适用于工业逆变器、电机驱动、高性能功率因数校正(PFC)、AC-DC及DC-DC转换器。图2所示为SiC MOSFET门极驱动器NCP51705的典型线路图。 图2：典型的半桥隔离门极驱动威廉希尔官方网站
SiC MOSFET门极驱动器要点包括：
类似于传统的硅MOSFET驱动器, 在开关时提供高峰值电流，以对CGS和CGD电容快速充放电
为实现最低的RDS(ON，在导通时间内需要提供20V至22V 门极驱动电压
为实现最快的关断速度和在关态期间不受dV/dt 影响，在关断期内驱动器应将门极拉至约-5V
通过使用低电感封装或共同封装来减轻驱动或开关时源电感的负反馈效应，如漏感引起的振荡、干扰等
安森美半导体提供宽禁带生态系统
为加速设计，安森美半导体提供一个重点围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包括SiC、GaN、门极驱动、创新的封装和先进的仿真工具SPICE模型。该SPICE模型直观、准确、具预测性，支持系统级仿真，设计人员可有把握地仿真数据表中未涵盖的工作条件，从而提前在仿真过程进行评估，加快开发流程。该SPICE模型还可连接到多种行业标准的仿真平台端口。 总结
宽禁带产品提供卓越的性能优势，将越来越多地用于太阳能逆变器、电动汽车、数据中心等高压电源应用，但目前成本压力较大，而有些系统其实用硅方案就可满足需求，所以硅方案也是有很大的使用空间，并且超级结技术可延展硅的使用场景。安森美半导体作为全球第二大电源半导体供应商，提供适合全功率范围的高性能硅方案、650 V和1200 V SiC二极管，并即将推出1200V SiC MOSFET和650V GaN MOSFET，配以先进的封装技术和直观、准确的SPICE模型，有助于提供一个完整的生态系统，帮助设计人员以适当的成本实现最适合应用所需的优化的设计，并加快设计进程。
安森美半导体的二极管具有同类最佳的性能和可靠性
SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关，这比硅二极管大大降低了开关损耗，具有更佳的热性能，从而实现更高能效。更快的开关还支持设计人员减少磁性线圈和相关的无源器件的尺寸，从而增加功率密度，降低物料单（BOM）成本。SiC产品能稳定的开关于宽温度范围，零电压恢复消除了电压过冲也有助于SiC的高性能。
安森美半导体的SiC技术具有独特的专利终端结构，进一步加强可靠性并提升稳定性和耐用性，提供更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关（UIS）能力和最低的漏电流。安森美半导体的650 V和1200 V SiC技术结合优越的开关性能、更高可靠性和低电磁干扰（EMI），非常适合下一代电源转换应用，如太阳能逆变器、电源、电动汽车和工业自动化。其中，650 V、1200 V SiC二极管系列分别提供6 A到50 A、5 A到50 A的额定电流，都提供表面贴装和通孔封装，包括TO-247、TO-220、D2PAK、DPAK和易于以现有的威廉希尔官方网站
板制造能力整合的裸片/晶圆，且都具有零反向恢复、比同类最佳的竞争器件更低的正向电压、不受温度影响的电流稳定性、承受更高的浪涌电流和正温度系数，从而实现极佳的强固性。
例如，安森美半导体1200 V、15 A的一款SiC二极管，雪崩电流接近200 A (3500 A/cm2)，8.2 ms 脉冲可以承受158 A (>10倍 额定值) 非破坏性的浪涌电流，33 µs 脉冲可以承受740 A更高的浪涌电流，而小很多的电流将会使一个平面肖特基二极管发生故障。我们在85C/85% RH的高温度/湿度/偏置VCE=960V的测试条件下进行了对比测试，结果显示，竞争SiC器件(1200V、8A)在168小时后发生故障，而安森美半导体SiC器件(1200V, 10A)通过了1000小时的测试，可见安森美半导体的SiC二极管的可靠性更高。 表1. 安森美半导体的650 V SiC二极管 表2. 安森美半导体的1200 V SiC二极管
其中，FFSHx0120和FFSHx065是符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管，能在恶劣的电气环境中可靠地工作，为汽车应用带来能效、性能、功率密度等多方面的显著优势。 SiC MOSFET门极驱动器用于高性能的工业逆变器和电机驱动器
SiC MOSFET有独特的门极驱动要求。安森美半导体的NCP51705 是经优化的SiC MOSFET门极驱动器，具备高度的灵活性和集成度，能高效、可靠地驱动市场上任何SiC MOSFET。峰值输出电流高达6 A，正额定电压可扩展，集成负压充电泵，能提供-5 V驱动电压，可调的欠压保护(UVLO)，退饱和(DESAT)检测短路保护，过热关断保护。NCP51705支持设计人员根据需求进行调试，具有简单的BoM，无需额外的DC-DC威廉希尔官方网站
，提供负压实现快速关断，采用4 mm x 4 mm QFN24的极小封装，适用于工业逆变器、电机驱动、高性能功率因数校正(PFC)、AC-DC及DC-DC转换器。图2所示为SiC MOSFET门极驱动器NCP51705的典型线路图。 图2：典型的半桥隔离门极驱动威廉希尔官方网站
SiC MOSFET门极驱动器要点包括：
类似于传统的硅MOSFET驱动器, 在开关时提供高峰值电流，以对CGS和CGD电容快速充放电
为实现最低的RDS(ON，在导通时间内需要提供20V至22V 门极驱动电压
为实现最快的关断速度和在关态期间不受dV/dt 影响，在关断期内驱动器应将门极拉至约-5V
通过使用低电感封装或共同封装来减轻驱动或开关时源电感的负反馈效应，如漏感引起的振荡、干扰等
安森美半导体提供宽禁带生态系统
为加速设计，安森美半导体提供一个重点围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包括SiC、GaN、门极驱动、创新的封装和先进的仿真工具SPICE模型。该SPICE模型直观、准确、具预测性，支持系统级仿真，设计人员可有把握地仿真数据表中未涵盖的工作条件，从而提前在仿真过程进行评估，加快开发流程。该SPICE模型还可连接到多种行业标准的仿真平台端口。 总结
宽禁带产品提供卓越的性能优势，将越来越多地用于太阳能逆变器、电动汽车、数据中心等高压电源应用，但目前成本压力较大，而有些系统其实用硅方案就可满足需求，所以硅方案也是有很大的使用空间，并且超级结技术可延展硅的使用场景。安森美半导体作为全球第二大电源半导体供应商，提供适合全功率范围的高性能硅方案、650 V和1200 V SiC二极管，并即将推出1200V SiC MOSFET和650V GaN MOSFET，配以先进的封装技术和直观、准确的SPICE模型，有助于提供一个完整的生态系统，帮助设计人员以适当的成本实现最适合应用所需的优化的设计，并加快设计进程。
图1：各类功率器件的频率、输出功率范围及汽车宽禁带应用
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