LR645的内部DMOS能够提供30Ma峰值电流。LR645可以通过栅极输出控制外部DMOS。数据表中建议的DN2540 DMOS现在是电流的限制因子,由饱和漏极到源极电流决定,其中(根据Supertex找到的数据表)。它谈论最小的150毫安漏电流,如果你比较DN2625和DN2540,那么它们有类似的VGS。看着饱和特性,我看不出你为什么不能使用DN2625。
LR645的内部DMOS能够提供30Ma峰值电流。LR645可以通过栅极输出控制外部DMOS。数据表中建议的DN2540 DMOS现在是电流的限制因子,由饱和漏极到源极电流决定,其中(根据Supertex找到的数据表)。它谈论最小的150毫安漏电流,如果你比较DN2625和DN2540,那么它们有类似的VGS。看着饱和特性,我看不出你为什么不能使用DN2625。
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