请问MOS管与IGBT反并联的快速恢复二极管有什么不同？

MOS管在制作生产时，这个反并联的快速恢复二极管就自动复合而成，不需要人为特意去另装这个PN结。
但是IGBT在制作生产时，这个反并联二极管不是自动复合而成，是没有的，需要单独再并联一个快速恢复二极管。
请问我的理解对吗？请大家指导，谢谢！