这种特性可利用PIN开关设计。PIN开关是利用PIN二极管不同偏置下电特性制成的射频半导体控器件。它具有优良的开关特性:当PIN二极管正向直流偏置时对射频信号呈近似短路状态;当PIN二极管反向偏置时对射频信号呈近似开路状态。PIN二极管开关具有控制速度快、损耗小、功率容量大的特点。
如图1所示,在每一路通道放置一个单刀单掷射频开关,每个开关均有一根控制线控制其通断。通过对8路控制线设置选择惟一的1路导通即可实现八选任一路的切换。
function ImgZoom(Id)//重新设置图片大小 防止撑破表格 { var w = $(Id).width; var m = 650; if(w
用矢量网络仪R&S ZVB4测量该射频开关的频率范围、插入损耗及隔离度,结果如图2所示:
这种特性可利用PIN开关设计。PIN开关是利用PIN二极管不同偏置下电特性制成的射频半导体控器件。它具有优良的开关特性:当PIN二极管正向直流偏置时对射频信号呈近似短路状态;当PIN二极管反向偏置时对射频信号呈近似开路状态。PIN二极管开关具有控制速度快、损耗小、功率容量大的特点。
如图1所示,在每一路通道放置一个单刀单掷射频开关,每个开关均有一根控制线控制其通断。通过对8路控制线设置选择惟一的1路导通即可实现八选任一路的切换。
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用矢量网络仪R&S ZVB4测量该射频开关的频率范围、插入损耗及隔离度,结果如图2所示:
这种特性可利用PIN开关设计。PIN开关是利用PIN二极管不同偏置下电特性制成的射频半导体控器件。它具有优良的开关特性:当PIN二极管正向直流偏置时对射频信号呈近似短路状态;当PIN二极管反向偏置时对射频信号呈近似开路状态。PIN二极管开关具有控制速度快、损耗小、功率容量大的特点。
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用矢量网络仪R&S ZVB4测量该射频开关的频率范围、插入损耗及隔离度,结果如图2所示:
这种特性可利用PIN开关设计。PIN开关是利用PIN二极管不同偏置下电特性制成的射频半导体控器件。它具有优良的开关特性:当PIN二极管正向直流偏置时对射频信号呈近似短路状态;当PIN二极管反向偏置时对射频信号呈近似开路状态。PIN二极管开关具有控制速度快、损耗小、功率容量大的特点。
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用矢量网络仪R&S ZVB4测量该射频开关的频率范围、插入损耗及隔离度,结果如图2所示: