中低压MOS供应】VS3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET

`
特征：双N通道，5V逻辑电平控制增强模式低导通电阻R DS（on）@ V GS = 4.5 V.快速切换100％雪崩测试无铅铅电镀; 符合RoHS标准
    VS3622DE 封装：PDFN3333
`