二极管参数介绍
CT---势垒电容
Cj---
结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv---
偏压结电容
Co---
零偏压电容
Cjo---
零偏压结电容
Cjo/Cjn---
结电容变化
Cs---
管壳电容或封装电容
Ct---
总电容
CTV---
电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---
电容温度系数
Cvn---
标称电容
IF---
正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)---正向平均电流
IFM
(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---
恒定电流、维持电流。
Ii---
发光二极管起辉电流
IFRM---
正向重复峰值电流
IFSM---
正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io---
整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---
正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---
暗电流
IB2---
单结晶体管中的基极调制电流
IEM---
发射极峰值电流
IEB10---
双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---
双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---
最大输出平均电流
IFMP---
正向脉冲电流
IP---
峰点电流
IV---
谷点电流
IGT---
晶闸管控制极触发电流
IGD---
晶闸管控制极不触发电流
IGFM---
控制极正向峰值电流
IR
(AV)---反向平均电流
IR
(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载
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中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---
反向峰值电流
IRR---
晶闸管反向重复平均电流
IDR---
晶闸管断态平均重复电流
IRRM---
反向重复峰值电流
IRSM---
反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
Irp---
反向恢复电流
Iz---
稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流
Izk---
稳压管膝点电流
IOM---
最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流威廉希尔官方网站
中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---
稳压二极管浪涌电流
IZM---
最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---
正向总瞬时电流
iR---
反向总瞬时电流
ir---
反向恢复电流
Iop---
工作电流
Is---
稳流二极管稳定电流
f---
频率
n---
电容变化指数;电容比
Q---
优值(品质因素)
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---
通态电流临界上升率
dv/dt---
通态电压临界上升率
PB---
承受脉冲烧毁功率
PFT
(AV)---正向导通平均耗散功率
PFTM---
正向峰值耗散功率
PFT---
正向导通总瞬时耗散功率
Pd---
耗散功率
PG---
门极平均功率
PGM---
门极峰值功率
PC---
控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---
输入功率
PK---
最大开关功率
PM---
额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---
最大漏过脉冲功率
PMS---
最大承受脉冲功率
Po---
输出功率
PR---
反向浪涌功率
Ptot---
总耗散功率
Pomax---
最大输出功率
Psc---
连续输出功率
PSM---
不重复浪涌功率
PZM---
最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率
RF
(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻
RBB---
双基极晶体管的基极间电阻
RE---
射频电阻
RL---
负载电阻
Rs(rs)----
串联电阻
Rth----
热阻
R(th)ja----
结到环境的热阻
Rz(ru)---
动态电阻
R(th)jc---
结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---
瞬态电阻
Ta---
环境温度
Tc---
壳温
td---
延迟时间
tf---
下降时间
tfr---
正向恢复时间
tg---
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换向关断时间
tgt---
门极控制极开通时间
Tj---
结温
Tjm---
最高结温
ton---
开通时间
toff---
关断时间
tr---
上升时间
trr---
反向恢复时间
ts---
存储时间
tstg---
温度补偿二极管的贮成温度
a---
温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---
反向峰值击穿电压
Vc---
整流输入电压
VB2B1---
基极间电压
VBE10---
发射极与第一基极反向电压
VEB---
饱和压降
VFM---
最大正向压降(正向峰值电压)
VF---
正向压降(正向直流电压)
△VF---正向压降差
VDRM---
断态重复峰值电压
VGT---
门极触发电压
VGD---
门极不触发电压
VGFM---
门极正向峰值电压
VGRM---
门极反向峰值电压
VF
(AV)---正向平均电压
Vo---
交流输入电压
VOM---
最大输出平均电压
Vop---
工作电压
Vn---
中心电压
Vp---
峰点电压
VR---
反向工作电压(反向直流电压)
VRM---
反向峰值电压(最高测试电压)
V
(BR)---击穿电压
Vth---
阀电压(门限电压)
VRRM---
反向重复峰值电压(反向浪涌电压)
VRWM---
反向工作峰值电压
V v---
谷点电压
Vz---
稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---
通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压
av---
电压温度系数北京芯片半导体实验室:北软检测芯片失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Sta
tion)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。