基本字节编程
使用基本字节编程是最简单的模式。当对 EEPROM 写入一个字节，用户必须将地址写入 EEARL寄存器，将数据写入EEDR寄存器。若EEPMn位为零，对 EEPE的写操作 （在对 EEMPE写完后的四个时钟周期内）将触发擦除/写入操作。擦除与写入操作在一个时钟周 期内完成，整个编程时间见 Table 1。 EEPE 位会保持置位，直到擦除与写入操作完成。 而当芯片处于编程状态时，不会进行其他 EEPROM操作。
分离字节编程
可以将擦除与写入操作分为两个周期。若系统需要对一些有限的时间缩短访问时间 （ 尤其 若电源电压下降 ） 该方式有效。使用该方式时，必须在写入操作前先进行擦除操作。但由 于擦除与写入操作是分离的，有可能当系统允许进行时间临界操作时 （ 尤其在掉电后 ） 进行擦除操作。
擦除
擦除一个字节，地址必须写入EEARL。若EEPMn为0b01，对EEPE写入 （在对EEMPE 写完后的四个时钟周期内 ） 将只触发擦除操作 （ 编程时间见 Table 1）。EEPE 位会保持到 擦除操作完成。而当芯片处于编程状态时，不会进行其他 EEPROM操作。
写入
写入时，用户必须将地址写入EEAR，将数据写入EEDR。若 EEPMn为0b10，对EEPE 写入 （在对EEMPE写完后的四个时钟周期内）将只触发写入操作（编程时间见Table 1）。 EEPE 位会保持到擦除操作完成。若在写入前数据没有擦除，则认为写入数据丢失。当ATtiny2313处于编程状态时，不会进行其他 EEPROM操作。
EEPROM访问使用标定振荡器定时。振荡器频率见P25“振荡器标定寄存器 – OSCCAL”。
下面ATtiny2313的代码分别用汇编和 C 函数说明如何实现 EEPROM 的擦除、写入或基本写入。在此假设中断不会在执行这些函数的过程当中发生。
汇编代码例程
EEPROM_write：
; 等待上一次写操作结束
***ic EECR，EEPE
rjmp EEPROM_write
; 设置编程模式
ldi r16， （0 《《 EEPM1）|（0 《《 EEPM0）
out EECR， r16
; 设置地址寄存器 r17
out EEARL， r17
; 将数据写入数据寄存器 （r16）
out EEDR，r16
; 置位 EEMWE
***i EECR，EEMWE
; 置位 EEWE以启动写操作
***i EECR，EEWE
ret
C 代码例程
void EEPROM_write（unsigned char ucAddress， unsigned char ucData）
{
/* 等待上一次写操作结束 */
while（EECR & （1 《《 EEPE ））
;
/* 设置编程模式 */
EECR = （0 《《 EEPM1 ）|（0 》》 EEPM0 ）
/* 设置地址与数据寄存器 */
EEARL = ucAddress;
EEDR = ucData;
/* 置位 EEMWE */
EECR |= （ 1 《《 EEMWE ）;
/* 置位 EEWE以启动写操作 */
EECR |= （ 1 《《 EEWE ）;
}
下面的例子说明如何用汇编和C 函数来读取EEPROM，在此假设中断不会在执行这些函数的过程当中发生。
EEPROM_read：
; 等待上一次写操作结束
***ic EECR，EEPE
rjmp EEPROM_read
; 设置地址寄存器 r17
out EEARL， r17
; 设置 EERE以启动读操作
***i EECR，EERE
; 自数据寄存器读取数据
in r16，EEDR
ret
C 代码例程
unsigned char EEPROM_read（unsigned char ucAddress）
{
/* 等待上一次写操作结束 */
while（EECR & （1《《 EEPE））
;
/* 设置地址寄存器 */
EEARL = ucAddress;
/* 设置 EERE以启动读操作 */
EECR |= （1《《 EERE）;
/* 自数据寄存器返回数据 */
return EEDR;
}
防止EEPROM数据丢失
若ATtiny2313电源电压过低，CPU 和 EEPROM有可能工作不正常，造成 EEPROM数据的毁坏 （ 丢 失 ）。这种情况在使用独立的 EEPROM 器件时也会遇到。因而需要使用相同的保护方案。
由于电压过低造成 EEPROM 数据损坏有两种可能：一是电压低于 EEPROM 写操作所需 要的最低电压；二是 CPU 本身已经无法正常工作。
EEPROM 数据损坏的问题可以通过以下方法解决：
当电压过低时保持 AVR RESET 信号为低。这可以通过使能芯片的掉电检测威廉希尔官方网站
BOD 来 实现。如果 BOD 电平无法满足要求则可以使用外部复位威廉希尔官方网站
。若写操作过程当中发生了 复位，只要电压足够高，写操作仍将正常结束。
基本字节编程
使用基本字节编程是最简单的模式。当对 EEPROM 写入一个字节，用户必须将地址写入 EEARL寄存器，将数据写入EEDR寄存器。若EEPMn位为零，对 EEPE的写操作 （在对 EEMPE写完后的四个时钟周期内）将触发擦除/写入操作。擦除与写入操作在一个时钟周 期内完成，整个编程时间见 Table 1。 EEPE 位会保持置位，直到擦除与写入操作完成。 而当芯片处于编程状态时，不会进行其他 EEPROM操作。
分离字节编程
可以将擦除与写入操作分为两个周期。若系统需要对一些有限的时间缩短访问时间 （ 尤其 若电源电压下降 ） 该方式有效。使用该方式时，必须在写入操作前先进行擦除操作。但由 于擦除与写入操作是分离的，有可能当系统允许进行时间临界操作时 （ 尤其在掉电后 ） 进行擦除操作。
擦除
擦除一个字节，地址必须写入EEARL。若EEPMn为0b01，对EEPE写入 （在对EEMPE 写完后的四个时钟周期内 ） 将只触发擦除操作 （ 编程时间见 Table 1）。EEPE 位会保持到 擦除操作完成。而当芯片处于编程状态时，不会进行其他 EEPROM操作。
写入
写入时，用户必须将地址写入EEAR，将数据写入EEDR。若 EEPMn为0b10，对EEPE 写入 （在对EEMPE写完后的四个时钟周期内）将只触发写入操作（编程时间见Table 1）。 EEPE 位会保持到擦除操作完成。若在写入前数据没有擦除，则认为写入数据丢失。当ATtiny2313处于编程状态时，不会进行其他 EEPROM操作。
EEPROM访问使用标定振荡器定时。振荡器频率见P25“振荡器标定寄存器 – OSCCAL”。
下面ATtiny2313的代码分别用汇编和 C 函数说明如何实现 EEPROM 的擦除、写入或基本写入。在此假设中断不会在执行这些函数的过程当中发生。
汇编代码例程
EEPROM_write：
; 等待上一次写操作结束
***ic EECR，EEPE
rjmp EEPROM_write
; 设置编程模式
ldi r16， （0 《《 EEPM1）|（0 《《 EEPM0）
out EECR， r16
; 设置地址寄存器 r17
out EEARL， r17
; 将数据写入数据寄存器 （r16）
out EEDR，r16
; 置位 EEMWE
***i EECR，EEMWE
; 置位 EEWE以启动写操作
***i EECR，EEWE
ret
C 代码例程
void EEPROM_write（unsigned char ucAddress， unsigned char ucData）
{
/* 等待上一次写操作结束 */
while（EECR & （1 《《 EEPE ））
;
/* 设置编程模式 */
EECR = （0 《《 EEPM1 ）|（0 》》 EEPM0 ）
/* 设置地址与数据寄存器 */
EEARL = ucAddress;
EEDR = ucData;
/* 置位 EEMWE */
EECR |= （ 1 《《 EEMWE ）;
/* 置位 EEWE以启动写操作 */
EECR |= （ 1 《《 EEWE ）;
}
下面的例子说明如何用汇编和C 函数来读取EEPROM，在此假设中断不会在执行这些函数的过程当中发生。
EEPROM_read：
; 等待上一次写操作结束
***ic EECR，EEPE
rjmp EEPROM_read
; 设置地址寄存器 r17
out EEARL， r17
; 设置 EERE以启动读操作
***i EECR，EERE
; 自数据寄存器读取数据
in r16，EEDR
ret
C 代码例程
unsigned char EEPROM_read（unsigned char ucAddress）
{
/* 等待上一次写操作结束 */
while（EECR & （1《《 EEPE））
;
/* 设置地址寄存器 */
EEARL = ucAddress;
/* 设置 EERE以启动读操作 */
EECR |= （1《《 EERE）;
/* 自数据寄存器返回数据 */
return EEDR;
}
防止EEPROM数据丢失
若ATtiny2313电源电压过低，CPU 和 EEPROM有可能工作不正常，造成 EEPROM数据的毁坏 （ 丢 失 ）。这种情况在使用独立的 EEPROM 器件时也会遇到。因而需要使用相同的保护方案。
由于电压过低造成 EEPROM 数据损坏有两种可能：一是电压低于 EEPROM 写操作所需 要的最低电压；二是 CPU 本身已经无法正常工作。
EEPROM 数据损坏的问题可以通过以下方法解决：
当电压过低时保持 AVR RESET 信号为低。这可以通过使能芯片的掉电检测威廉希尔官方网站
BOD 来 实现。如果 BOD 电平无法满足要求则可以使用外部复位威廉希尔官方网站
。若写操作过程当中发生了 复位，只要电压足够高，写操作仍将正常结束。
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